国内自主研发最高压IGBT芯片及模块面世 上半年投产

国内自主研发最高压IGBT芯片及模块面世 上半年投产

      近日，由株洲南车时代电气股份有限公司自主研发的6500伏高压IGBT芯片及模块在株洲通过省级鉴定。来自中国工程院、中国科学院的3位院士以及中科院微电子所、南京大学、中南大学等单位的专家认为，该产品具有耐高压、损耗低、可靠性强等特点，尤其是“解决了芯片短路电流能力与关断能力难协调的国际性技术难题”，“总体技术处于国际领先水平”。

　　IGBT芯片，即“绝缘栅双极型晶体管芯片”，是新一代功率半导体器件。工作中，通过调整栅极电压的大小和极性，可改变相关控制器的开通与关闭。该产品广泛应用于轨道交通、智能电网、风力发电、太阳能发电、船舶驱动、电动汽车、工业变流、航空航天以及化工冶金等众多重要行业和领域，被誉为功率变流装置的“CPU”、绿色经济的“核芯”。

　　此前，我国掌握了低电压等级条件下IGBT芯片产品的研发、生产、封装等成套技术。但高电压IGBT芯片技术一直被英飞凌、ABB、三菱等少数几个国外企业垄断、控制。随着高速动车、大功率机车、智能电网等飞速发展，我国对高电压条件下的IGBT芯片需求猛增，成为全球最大需求国。

　　南车时代在引进吸收的基础上，相继研发出具有完全自主知识产权的3300伏、4500伏、6500伏IGBT芯片。据介绍，6500伏IGBT芯片是国内目前电压等级最高超级芯片，与3300伏芯片相比，其功耗降低10%以上，功率提高25%以上，最高工作温度可到150℃，可靠性更强、安全性能更高、应用范围更广。该产品研制成功，打破了国外在这一领域的技术封锁，填补了国内空白。

　　目前，南车时代投资15亿元建设的国际先进IGBT芯片生产线已进入工艺调试阶段，预计明年上半年可以投产。届时，仅6500伏IGBT芯片一项，每年可为国家节约60亿元以上的采购成本。