3D NAND Flash起飞 2年内市占将破两成

       从制程转进的脚步来看，NAND Flash业者从去年第三季以来陆续转进1X奈米制程，同时20奈米等级的SSD、eMMC和eMCP等嵌入式产品也广泛被应用在各种移动设备中，因此去年第四季20奈米与1X奈米出货比重已突破90%，成为NAND Flash主流制程。随着制程微缩在1X奈米以下将面临物理限制的挑战，各家NAND Flash业者纷纷加速开发3D-NAND Flash的技术来突破单位面积储存容量的限制，而自从三星在去年八月份宣告将以3D-NAND Flash进军服务器等级固态硬盘以来，使得其他阵营更加速3D-NAND Flash的开发脚步。

       杨文得表示，观察各家目前3D-NAND Flash开发进度，三星电子从去年下半年开始生产”V-NAND”以来，凭借着自行开发的固态硬盘控制芯片，缩短整合控制芯片与NAND Flash芯片的时效，并且充分发挥3D-NAND Flash适合高容量产品的优势，透过以堆栈24层所组成的128Gb芯片，目标直接挥军服务器等级固态硬盘，并且在去年第四季开始已陆续送样给服务器业者或是数据中心制造商进行测试，因此三星电子目前在3D-NAND Flash应用进度领先其他业者，而三星的V-NAND制造基地将以韩国厂与新设立的中国西安厂为主。

       而开发3D-NAND Flash技术”BiCS”的东芝与SanDisk阵营同样也展现明显的企图心。该阵营的3D-NAND Flash产品将从今年第二季起开始小量试产，目标在2015年前能够顺利衔接现有1Y与1Z奈米技术，而为了后续3D-NAND Flash的量产铺路，东芝和SanDisk所共同投资位于日本三重县四日市的第五号半导体制造厂第二期工程扩建计划也预计今年第三季完工，自今年第四季起可顺利进入规模化生产。

       另一方面，SK海力士与美光、英特尔阵营也明确宣告各自3D-NAND Flash的蓝图将接棒16奈米，计划将在今年第二季左右可送样测试，最快将在第四季进入量产。因此，虽然2014年多数厂商的3D-NAND Flash进展多半停留在送样阶段，TrendForce预期2014年3D-NAND Flash产出比重仅有3%，然而3D-NAND Flash的开发速度确实有超乎预期的进展，随着厂商在2015年将开始量产3D-NAND的局势来看，预期在经过2014年的军备竞赛后，2015年3D-NAND Flash市占率将可提升至20%以上，随着3D-NAND Flash的成熟，NAND Flash单位成本将呈等比级数下滑，届时储存容量性价比将可有效提升。