IR推出100V FastIRFET PQFN 5×6功率的半导体场效晶体管

　　全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出100V FastIRFET功率MOSFET IRFH7185TRPbF，为通信应用中的DC-DC电源提供基准性能。

　　IRFH7185TRPbF采用IR全新的100V FastIRFET工艺，提供基准的导通电阻栅极电荷品质因子 (Rds(on)*Qg figure of merit)，以实现更高效率和功率密度，并且提高系统可靠性。

　　IR亚太区销售副总裁潘大伟表示：“IRFH7185TRPbF提供超低导通电阻，并且比同类型器件的栅极电荷显著降低，所以从轻载到满载都能达到高性能的要求。IR全新的100V FastIRFET器件提高雪崩电流密度达20%，为DC-DC通信电源提供行业最坚固耐用的解决方案。”

　　IR FastIRFET器件可与各种控制器或驱动器配合使用，从而使设计更灵活，在更小的占位面积实现更高的电流、效率和频率。IRFH7185TRPbF达到工业级标准和第一级湿度敏感度 (MSL1) 标准，并采用了行业标准封装5x6 PQFN，所采用的材料环保，不含铅，并符合电子产品有害物质管制规定 (RoHS)。

　　IR简介

　　国际整流器公司 (简称 IR，纽约证交所代号 IRF) 是全球功率半导体和管理方案领导厂商。IR 的模拟及混合信号集成电路、先进电路器件、集成功率系统和器件广泛应用于驱动高性能计算设备及降低电机的能耗 (电机是全球最大耗能设备) ，是众多国际知名厂商开发下一代计算机、节能电器、照明设备、汽车、卫星系统、宇航及国防系统的电源管理基准。IR 成立于 1947 年，总部设在美国洛杉矶，在二十个国家设有办事处。

　　专利和商标

　　FastIRFET?是国际整流器公司的商标，IR?是国际整流器公司的注册商标。文中所提及其它产品名称均为对应持有人所有的商标。