宁波时代全芯科技PCM芯片项目明年可投产
来源:互联网 作者:—— 时间:2014-03-19 11:11
近日,掌握相变存储器芯片技术(PCM)自主知识产权的宁波时代全芯科技有限公司,在力利记投资集团、银创财富(中国)管理集团的力推下,其研发生产建设项目在宁波鄞州工业园区破土动工。
据市场分析公司预测,在未来30年内,基于PCM技术生产的半导体产品将成为电子存储器产业发展的主要支撑力量。宁波时代全芯研发的相变存储技术,打破了韩美在该技术领域的相关垄断,已获得全球57项专利。
2013年1月,宁波时代全芯公司选址宁波鄞州,今年3月按照相关规定完成环保评估,预计5月开始建设相变存储器厂, 2015年中旬进入投产阶段,12月实现一期全产能8000片的生产规模。
据了解,PCM现在已经可以取代部分闪存市场,随着产品不断升级,未来还会逐步取代部分内存、移动硬盘以及固态硬盘市场,并延伸至许多特殊应用领域,比如路由器中的CAM(内容寻址存储器),甚至可以作为一种新的计算单元使用。
相关文章
- •ROHM推出输出电流500mA的LDO稳压器,提升大电流应用的设计灵活性2026-01-27
- •阿里“造芯”走到关键一步?平头哥或冲击IPO2026-01-26
- •涨价100%!存储巨头再传重磅信号2026-01-26
- •泰矽微TClux系列:专用驱动芯片如何引领汽车动态氛围灯高性价比未来2026-01-26
- •安谋科技Arm China与香港科技大学签署合作备忘录,共绘AI前沿创新蓝图2026-01-23
- •Melexis推出22位高分辨率电感式编码器2026-01-23
- •最高预增520%!A股电子元器件板块业绩亮眼2026-01-22
- •兆易创新GD32H7高性能系列MCU强势扩容,以“超高算力+实时通信”双擎驱动未来2026-01-22
- •18亿美元!美光拟收购力积电晶圆厂,加速DRAM产能扩张2026-01-20
- •Cadence 采用下一代低功耗DRAM 和 Microsoft RAIDDR ECC技术,为人工智能应用提供企业级可靠性2026-01-20






