NAND Flash今年报价因三星、东芝竞扩产恐跌三成

来源:华强电子网 作者:------- 时间:2014-08-12 10:22

Nand

  全球NAND Flash(储存型快闪记忆体)供给成长持续大于需求,预估NAND Flash今年底报价将较去年跌掉三成,且跌势恐将一直延续至2018年。

  市调机构IHS iSuppli最新报告预测,NAND Flash今年底报价将跌至0.49美元每GB,远低于去年的0.71美元,预估2018年将进一步跌至0.14美元,其间年复合成长率为负的28%。

  NAND Flash产出过多是导致价格崩跌的主因,若以1 GB等量单位计算,IHS iSuppl估计,2018年NAND Flash产出将自2013年的355亿单位成长成长5.7倍至2,036亿单位,预料将掀起价格战。

  据南韩联合通讯社(Yonhap)报导,三星斥资70亿美元在大陆西安设置的V-NAND Flash厂已在5月开始投产,至于在后追赶的东芝(Toshiba)最近也宣布了60亿美元V-NAND Flash的扩厂计划。

  以NAND flash市占率来看,三星以37.4%居全球之首,东芝、美光与海力士(SK Hynix)依序分别为31.9%、20.1%与10.6%。

  

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