我国IC制造与先进水平鸿沟加宽

我国IC制造与先进水平鸿沟加宽

　　近日，有消息称受英特尔与三星等竞争压力所致，国际IC代工制造龙头台积电将加快先进工艺开发量产步伐，除加速南科厂16纳米产能布建之外，还将加快10纳米生产线的建设，计划于明年下半年完成10纳米的产品设计，2016年下半年量产。随着集成电路工艺逐渐接近物理极限，技术难度加大，摩尔定律一度逐渐减慢，这也在一定程度上给了我国IC产业追赶国际先进水平的机会。然而，受到竞争加剧影响，业内龙头大厂在先进制程推进上似乎又有重新加速的迹象。这是否将导致我国大陆IC代工制造水平与国际先进水平之间的差距进一步拉大呢?

　　根据台积电在近日举办的法说会上发布的技术路线图，台积电16纳米工艺预计在明年第一季度拉升至每月5万片，由此量产时程可望提前至明年第二季度，比预定时间提前一个季度;10纳米工艺从2013年开始进行技术开发，计划明年第一季度于中科厂建置10纳米试产线，量产时程则落在2016年下半年。不过受制于EUV技术的输出率仍未达到量产需求，届时10纳米工艺仍将采用多重曝光的方式，并集中于12英寸晶圆厂生产。

　　集成电路芯片制造业是集成电路产业链的核心主体，大力发展集成电路芯片制造业一直是我国推进集成电路产业的重要方向之一。一直以来，在先进工艺方面，我国大陆制造技术与先进水平的差距大体相差2代。目前，中芯国际最先进的制造技术为40纳米，与国际先进水平相差1.5代，实际已经追近了一步，至少是没有被落下。而中芯国际的28纳米工艺有望于今年年底进行试量产，明年初实现量产。这样，与台积电仍将保持1.5代到2代的差距(将视台积电16纳米工艺量产是否顺利而定)。同时，中芯国际也在开发14纳米、10纳米的工艺技术，根据计划，预计在2016年到2017年可实现14纳米的工艺开发，顺利的话可能进行试产。这样算来，并没有与先进水平拉大差距。

　　其实，IC制造的竞争不仅表现在先进工艺的开发与量产上，仅仅是因为它更引人注目。实际上，我国IC制造的弱势更多存在于设计服务能力和支持体系的不完善之上。随着技术的发展，当前IC设计、制造、ENA工具，甚至是封装的工艺流程，有越来越多相互融合的趋势，衡量IC制造业实力强弱的重点越来越多地体现在企业是否能够建立起完整的设计服务和支持体系，是否能够充分进行IP核的研发以满足工艺开发需求，甚至更高地建立在对设计方法学的理解程度之上。而国内很多IC制造厂在这些方面都存在明显不足。这些软硬实力的补足，才是我国IC制造企业下一步亟须强化的重点。

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