2014年中国半导体分立器件发展现状

来源:互联网 作者:------ 时间:2014-10-14 08:30

半导体 分立器件

  1、我国半导体分立器件分布现状

  我国半导体分立器件产业地区分布相对集中。按国内半导体分立器件行业销售总额比重分布,其中长三角地区占41.3%,京津环渤海湾地区占10%,珠三角地区占43.2%,其他地区占5.5%。我国生产分立器件的企业主要分布在江苏、浙江、广东、天津等省市,占到全国的76.4%以上。

  2、半导体分离器件市场规模

  前瞻产业研究院发布的《2014-2020年中国集成电路行业市场需求预测与投资战略规划分析报告》显示:2009-2013年,中国半导体分立器件产业销售额逐年上涨,2013年均为最大值,但是增速呈现波动趋势。2010年,2013年,中国半导体分立器件产业销售额为1135.40亿元,同比增长28.50%,增速为近年来的最大值。2013年,中国半导体分立器件产业销售额为1642.50亿元,同比增长18.17%,,增长速度有所加快。

 

图表2:2009-2013年中国半导体分离器行业销售额变化趋势图(单位:亿元,%)

  

  3、分立器件的发展趋势

  事实证明,半导体分立器件仍有很大的发展空间。半导体分立器件通常总是沿着功率、频率两个方向发展,发展新的器件理论、新的结构,出现各种新型分立器件,促进电子信息技术的迅猛发展。

  一是发展电子信息产品急需的高端分立器件,如Si、GaAs微波功率器件、功率MOS器件、光电子器件、变容管及肖特基二极管等。随着理论研究和工艺水平的不断提高,电力电子器件在容量和类型等方面得到了很大发展,先后出现了从高压大电流的GTO到高频多功能的IGBT、功率MOSFET等自关断、全控型器件。近年来,电力电子器件正朝着大功率、高压、高频化、集成化、智能化、复合化、模块化及功率集成的方向发展,如IGPT、MCT、HVIC等就是这种发展的产物。

  二是发展以SiGe、SiC、InP、GaN等化合物半导体材料为基础的新型器件。

  三是跟踪世界半导体分立器件发展趋势,加强对纳米器件、超导器件等领域的研究。

  四是分立器件封装技术的发展趋势仍以片式器件为发展方向,以适应各种电子设备小型化、轻量化、薄型化的需要。封装形式的发展,一是往小型化方向发展,由常用的SOT-23、SOD-123型向尺寸更小的,如SOT-723/923、SOD-723/923、DFN/FBP1006等封装型式发展;二是片式小型化往功率器件方向延伸,从1W功率的SOT-89一直到功耗10W的TO-252以及功率更大的大功率封装,如TO-247、TO-3P等;三是另一类则望更大尺寸、更大体积以满足各类更大功率的新型电力电子封装,如全压接式大功率IGBT及各类模块封装等。

 

 

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