NAND Flash厂Q4产能大火并

NAND Flash厂Q4产能大火并

近1年来128Gb NAND Flash晶片平均价格变化

　　三星宣布推叠32层的128Gb 3D V-NAND进入量产，为全球四大阵营3D NAND军备竞赛揭开序幕。图为三星V-NAND晶片及固态硬碟。图/三星电子提供

　　四大NAND Flash厂的2D/3D NAND技术一览NAND Flash明年将是杀戮战场?由于全球最大NAND Flash厂叁星电子西安厂正式投产，并宣布开始量产128Gb 3D V-NAND晶片，东芝及新帝(SanDisk)联军为了维持市占率，已决定加快日本Fab5第2期量产，而SK海力士、美光、英特尔等也开始拉高产能因应激烈竞争。NAND Flash厂军备竞赛在第4季全面开打，业界对明年市况感到忧心，供过于求问题恐导致跌价幅度大于今年。

　　今年上半年NAND Flash市场已是供过于求，由供给端来看，三星、SK海力士、东芝、美光等19/20奈米制程良率已达成熟阶段，且投片量重新来到新高纪录。但由需求端来看，上半年高阶智慧型手机及平板销售动能低迷，中低阶智慧型手机虽然买气不弱，但搭载eMMC/eMCP容量在16GB以下。总体来看，上半年就是因为供过于求，导致价格连续2季快速下滑，跌幅已逾3成。

　　第3季因为进入苹果iPhone及iPad的拉货旺季，今年苹果拉高NAND Flash容量至128GB，的确让NAND Flash价格止跌回升，但只是昙花一现，由于叁星西安厂在第3季进入量产，东芝及新帝合资的Fab5第2期也在9月落成启用，加上SK海力士去年因无锡厂大火而将M12产能转为DRAM，也在第3季回復NAND Flash投片。所以随着产能在9月陆续开出，价格开始鬆动，进入第4季后因为是传统淡季，10月以来价格跌幅已见扩大。

　　模组业者表示，三星西安厂第4季月投片量拉高到3.5～4万片，东芝Fab5第2期正在快速增产，SK海力士M12将月投片量拉高到近5万片规模，第4季及明年第1季NAND Flash产能快速放大。但需求面来看，固态硬碟(SSD)销售动能趋缓，只靠苹果推出的iPhone及iPad，其实并无法去化新增的产能，供过于求压力将由今年第4季延续到明年上半年。

　　NAND Flash厂除了扩产，制程微缩速度也正在加快，叁星、东芝、SK海力士的16奈米製程已在第4季全面量产，明年还会转进1znm世代，包括叁星14奈米、东芝12奈米、SK海力士13奈米、美光15奈米等，都会在明年上半年进入全产能量产。再者，各厂积极布局的3D NAND，明年也会开始陆续进入量产。

　　以主流的128Gb NAND MLC晶片价格来看，自去年10月至今的一年中，平均价格已由12美元快速跌至目前的7美元左右，而上游晶片厂军备竞赛加剧，业界对NAND Flash市场看法愈趋保守，明年价格跌势恐大于今年。

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