国际整流器推出配备IR最新低压MOSFET硅技术的一系列器件

国际整流器推出配备IR最新低压MOSFET硅技术的一系列器件

　　国际整流器针对锂离子电池保护应用推出配备IR最新低压MOSFET硅技术的一系列器件，包括IRL6297SD双N通道DirectFETMOSFET。

　　全新功率MOSFET具有极低的导通电阻，可大幅减少导通损耗。产品可作为N通道及P通道配置的20V和30V器件，最高栅极驱动从12Vgs起，非常适合包含了两个串联电池的电池保护电路。IRL6297SD在精密且能高效散热的小罐式DirectFET封装内提供两个采用共漏极配置的20V N通道MOSFET。

　　IR亚太区销售副总裁潘大伟表示：“IR拥有适合电池管理的广泛的MOSFET产品系列，提供行业标准封装以及适合精密设计的小罐式双DirectFET封装。新器件具有低导通电阻，可替代采用较大封装的MOSFET，从而节省电路板空间及系统成本。”

　　所有新产品均不含铅、溴和卤，符合第一级湿度敏感度标准 (MSL1)及电子产品有害物质管制规定 (RoHS)。

　　规格

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