NAND Flash明年上冷下热 产值估年增12%

NAND Flash明年上冷下热 产值估年增12%

　　市场调查指出，随着生产成本下滑，各种终端应用等需求持续成长，预估明年储存型快闪记忆体(NAND Flash)产值将达276亿美元，年成长12%，成长幅度超过今年。

　　DRAMeXchange研究协理杨文得表示，终端产品出货与新机上市多半集中在第3季和第4季，上半年淡季效应与缺少新产品刺激市场，预估明年NAND Flash市况将呈现上冷下热，也就是上半年市况较淡，下半年会转为供需平衡、甚至出现小幅供不应求的走势，整体而言，全年产业呈现稳定向上成长的趋势维持不变。

　　今年NAND Flash产值约较去年成长5%，杨文得指出，明年智慧型手机出货量估将年成长12.4%，平板电脑恐因产品提早进入成熟期与硬体规格差异化缩小而呈现衰退，但苹果今年推出的新款iPhone与iPad搭载NAND Flash储存达64GB以上高容量，这将带动其他高阶机种跟进，中低阶机种也会增加储存容量，估明年智慧型手机内建的NAND Flash平均搭载容量将较今年成长18%，整体需求位元量为383.8亿颗，年成长42.8%。

　　DRAMeXchange并预估明年NAND Flash总晶圆投片量(12寸约当)年增加幅度仅8%，供给端重心将放在半导体制程微缩，包括推进到15/16奈米制程、3D的NAND Flash的开发时程进展及TLC产品应用扩张。

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