苹果升级 DRAM缺口扩大
来源:互联网 作者:------ 时间:2014-12-29 09:15
DRAM供给陷入紧张 明年Q2将再掀涨势
苹果决定明年将新款iPhone与iPad的DRAM容量提升一倍,存储器业者估算,将让全球DRAM明年供给缺口,由原预估的1.5%,扩大到3%,以苹果明年下半年新机备货时间推算,预料明年第2季DRAM将再掀涨势。
设备业者证实,包括三星、SK海力士及美光等三大DRAM厂近期均已感受到苹果新机对DRAM需求扩大,尤其大陆等新兴市场全面启动推出新机抢市,让DRAM供给陷入紧张,也加速制程推进脚步,以免因制程微缩、产能缩减,错失商机。
力晶董事长黄崇仁表示,现在DRAM应用,已摆脱过去全依附个人计算机需求,新行动载具如智能型手机、平板计算机,加上第四代移动通信(4G)普及,刺激资料中心服务器对DRAM用量倍速增长,未来加上物联网及智能电视兴起,都推升DRAM需求。
黄崇仁预估,行动装置、物联网及服务器三股拉力明年将同步启动,让DRAM出现罕见20纳米、30纳米及40纳米三代制程都能生存的「三代同堂」局面。
黄崇仁强调,不仅苹果强势包下各大DRAM厂产能,连谷歌及高通等业者也展开包DRAM产能行动,甚至三星也将部分低容量的DRAM委托力晶代工,让力晶有信心,明年再赚进逾150亿元。
不过,对DRAM市场更振奋的是,苹果明年新款iPhone,以及新iPad的DRAM,由目前的1GB倍增至2GB,存储器容量倍增。
存储器业者估算,苹果下一代手机及平板计算机推升DRAM需求比原预估高出许多,加上三星、SK海力士及美光将产能推进到20纳米,总产能反而减少,让明年DRAM供需缺口扩大,估计每月供应量将少3万片,全年逾30万片。
华亚科日前以20纳米制程产出台厂首颗20纳米DDR 4 DRAM,虽然脚步落后韩国三星,但华亚科预定明年第2季导入,且一次即建置超过6万片的年产能,将很快赶上三星,成为全球20纳米制程比重最高的DRAM厂。
华亚科表示,目前DDR 4 DRAM良率离量产仍有一段差距,但正式产出首颗可运作的DDR 4 DRAM,代表华亚科已取得明年跨入DDR 4 DRAM的门票。
华亚科担负美光阵营全力转进20纳米的先锋,公司已宣布明年将再斥资500亿元,合计今年的250亿元,共斥资750亿元,打算将目前年产12万片的产能,明年约八成推进至20纳米,估计转换制程从明年第2季启动,密集在第2、3季更换设备。
华亚科财务长沈道邦表示,华亚科是利用闲置的亚美厂房试产20纳米,不会影响30纳米产出。
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