安森美和Transphorm推出600 V GaN 晶体管用于紧凑型电源及适配器
来源:互联网 作者:---- 时间:2015-03-18 09:38
安森美和Transphorm,先前宣布双方建立了合作关系,把基于氮化镓(GaN)的电源方案推出市场,今天美国时间宣布推出联名的NTP8G202N (TPH3202PS)和NTP8G206N (TPH3206PS) 600 V GaN共源共栅(cascade)晶体管和使用这些器件的240 W参考设计。
安森美半导体电源分立分部副总裁兼总经理Paul Leonard说:“GaN晶体管为开关电源和其它在能效及功率密度至关重要的应用带来了性能飞跃。随着更多工程师熟悉氮化镓器件的优势,基于GaN的产品需求将快速增长。安森美半导体和Transphorm正工作于新的发展前沿,并加速市场的广泛采纳。”
两款新品NTP8G202N (TPH3202PS) 和 NTP8G206N (TPH3206PS),导通阻抗典型值为150 mΩ和290 mΩ,采用优化的TO-220封装,易于根据客户现有的制板能力而集成。两款600 V产品均已使用JEDEC标准认证并在量产。
NCP1397GANGEVB (TDPS250E2D2)评估板为客户提供完整的参考设计,以实现和评估他们的电源设计中的GaN共源共栅晶体管。该评估板为客户提供比使用传统器件的电源更小的占位面积和更高的能效。升压段提供98%的能效并采用NCP1654功率因数校正控制器。LLC DC-DC段使用NCP1397谐振模式控制器提供97%的满载能效。这性能在以200+ 千赫兹(kHz)运行时实现,而且显然也能满足EN55022的B类电磁兼容(EMC)性能。完整的文档请从安森美半导体网站获取。
莅临安森美半导体在2015 APEC的 407展台(Transphorm – 1317展台)观看关于GaN器件以及新的电流模式LLC电源和汽车电机驱动器的演示。
关注电子行业精彩资讯,关注华强资讯官方微信,精华内容抢鲜读,还有机会获赠全年杂志
关注方法:添加好友→搜索“华强微电子”→关注
或微信“扫一扫”二维码
- •掌握拓扑选择:优化电池供电设备设计2025-05-23
- •电子保险丝工作原理及优势:优化eFuse跳变曲线以提高性能2025-05-13
- •10BASE-T1S:利用下一代以太网引领智能工厂革新2025-05-08
- •安森美公布 2025 年第一季度业绩2025-05-06
- •ADAS 系统中的传感器创新如何在道路交通中挽救生命2025-04-29
- •增强自主移动机器人的安全性2025-04-24
- •SiC MOSFET如何提高 AI 数据中心的电源转换能效2025-04-10
- •安森美携新款智能图像感知方案亮相Vision China(上海)20252025-03-20
- •安森美推出基于碳化硅的智能功率模块以降低能耗和整体系统成本2025-03-19
- •安森美推出面向工业应用的先进深度传感器2025-03-12