台积电明年量产10纳米芯片 只为赶超三星

台积电明年量产10纳米芯片 只为赶超三星

　　面对三星14nm FinFET Exynos 7420处理器的强势来袭，另一家芯片代工厂台积电可坐不住了，要知道在芯片制造领域，工艺技术的落后就代表着客户和利润的流失。而为了扭转这种落后局面，近日台积电表示将在明年大幅量产10nm工艺芯片。

　　为了实现这一目标，台积电计划于今年6月在台湾中部建造一间全新的12英寸晶圆工厂，而台积电主席Morris Chang则明确表示该工厂将采用相当先进的10nm制造工艺，也就是说如果三星半导体没有在近几个月内有所突破的话，台积电将会很快缩小与其之间的差距。

　　不过需要注意的是，三星的14nm FinFET工艺目前仍然处于业界领先地位，而且这家韩国电子巨头也已经首次测试了10nm FinFET工艺芯片，甚至要领先于芯片霸主英特尔，而后者或许要等到明年才能上马10nm工艺，但不管是三星还是英特尔都已将目标放在了更远的7nm和 5nm工艺，由此可见台积电加紧10nm工艺进程只是为了缩小差距，而并非为了超越领头羊。

关注电子行业精彩资讯，关注华强资讯官方微信，精华内容抢鲜读，还有机会获赠全年杂志

关注方法：添加好友→搜索“华强微电子”→关注

或微信“扫一扫”二维码