华虹半导体推出0.11微米超低漏电嵌入式闪存工艺平台

　　华虹半导体今日宣布推出0.11微米超低漏电(Ultra-Low-Leakage，ULL)嵌入式闪存(eFlash)和电可擦可编程只读存储器(EEPROM)工艺平台。该工艺平台作为华虹半导体0.18微米超低漏电技术的延续，可为客户提供一个完美兼具高性能、低功耗、低成本优势于一身的差异化解决方案。

　　新推出的0.11微米超低漏电嵌入式闪存工艺平台支持低至于1.08伏的操作电压，小于0.2pA/μm的超低漏电。该平台的存储器IP具有10万至50万次擦写次数、读取速度达20ns等独特优势，尤其是，该技术的动态功耗达25uA/MHz，静态功耗达50nA，可大幅提升电池寿命，延长时下最热门的物联网及可穿戴式设备的待机时间。该平台还具有逻辑单元集成度高，包含电源管理单元等特点，门密度达到300K gate/mm2以上，能够帮助客户进一步缩小芯片面积。

　　该工艺平台的最大特点是可在同一工艺中集成射频(RF)、eFlash和EEPROM，24层光罩即可生成高性能、低功耗的0.11微米SoC(System-on-a-Chip)芯片，具备更小的面积、更低的功耗和更强的可靠性等显着优势，并降低设计、制造和测试成本。该工艺平台拥有丰富多样的嵌入式存储器IP，同时也提供高密度存储器编辑器(Memory Complier)和标准单元库，可为客户量身定制性价比优越、全面灵活的解决方案，加速客户产品上市时间。

　　基于该工艺平台生产的低功耗微控制器(MCU)主要适用于各种智慧节能型产品，例如物联网、可穿戴式设备、智能电网、嵌入式智能互联设备、医疗电子、照明，以及工业和汽车电子等方面的应用。

　　?0.11微米超低漏电嵌入式闪存工艺平台成功集成了超低功耗的数模混合技术、嵌入式存储技术及低成本的CMOS射频技术，进而大幅提升客户产品的市场竞争力。?华虹半导体执行副总裁孔蔚然博士表示，?与微控制器相辅相成的物联网市场规模预期将由2013年的 250亿美元增至2020年的602亿美元。我们面向物联网，成功推出0.11微米超低漏电嵌技术，进一步壮大了丰富多样的低功耗嵌入式存储器工艺平台组合，充分满足多元化市场需求。?

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