摩根大通:NAND奋起直追 明年市场规模超DRAM

来源:工商时报 作者:--- 时间:2016-06-03 09:38

摩根大通 NAND Flash DRAM

  摩根大通证券指出,目前记忆体市场需求呈现“NAND强、DRAM弱”态势,将今年记忆体产业营收成长率预估值由-6%调降至逾-10%,预料明年NAND产业市场规模将会首度超越DRAM产业。

  摩根大通证券亚太区半导体首席分析师J.J.Park根据今年以来整体市况,及各大厂商在第1季新闻发布会所释出的讯息,将今年记忆体(NAND+DRAM)产业营收成长率预估值由-6%调降至逾-10%,主因今年DRAM产业营收恐下滑逾20%。

  J.J.Park表示,NAND市场从第3季起就会出现两位数的年营收成长率,主因苹果等高密度储存智能手机拉货需求与企业等SSD采用率增加。

  至于DRAM产业,J.J.Park指出,尤其是龙头厂商三星今年DRAM业务的资本支出较去年大幅减少35%,致使整体产业资本支出下滑约20%,且需求若持续疲弱,-20%的数据还有下调空间,因此,今明两年整体DRAM供给成长率预估会维持在20%出头的水准。

  从需求面来看,J.J.Park指出,PC市场疲弱(今年与明年NB市场年成长率预估分别为-9%与-3%),尽管部份可被智能手机与伺服器的需求成长所抵消,但整体而言,DRAM市场规模预估仍会从去年的450亿美元降至今年的350亿美元。

  至于NAND市场,J.J.Park点出看法转趋乐观的原因包括:从供给面来看,以三星为主的厂商开始锁定3D NAND生产,预计占整体NAND生产颗粒比重将由今年的16~19%攀升至明年的50%,致使今年供给成长率上看40~45%;但从需求面来看,由于iPhone7储存容量较iPhone6S/iPhone6S Plus加倍(由16/64/128GB改为32/128/256GB),加上其他手机大厂也会陆续跟进,需求成长幅度将逾40%。

  因此,J.J.Park预计明年NAND产业市场规模将会超越DRAM产业、为记忆体产业史上首次,NAND供应链接下来股价表现会优于DRAM供应链,看好三星与东芝将是下半年NAND产业波段行情的最大受惠者。



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