2016中国集成电路销售将超4300亿
今年以来,全球经济一直未完全走出国际金融危机阴影,整体复苏疲弱乏力,增速持续放缓,传统PC业务进一步萎缩,智能终端市场需求逐步减弱,云计算、大数据、物联网带来的新兴市场需求尚未爆发。美国半导体行业协会数据显示,受此影响,今年1~6月全球半导体市场销售规模依旧呈现下滑态势,为1574亿美元,同比下降5.8%。
与此相反,《国家集成电路产业发展推进纲要》(以下简称《推进纲要》)经过近两年的系统实施,第一阶段目标已顺利完成。国家集成电路产业投资基金(以下简称国家基金)金融杠杆作用逐步显现,适应产业发展的政策环境和投融资环境基本形成。在政策支持以及市场需求带动下,我国集成电路产业继续保持平稳快速的发展态势。
2016年集成电路呈四大特点
第一,产业规模继续增长,但进出口受经济下行压力影响较大。今年以来,我国集成电路产业继续保持高位趋稳、稳中有进的发展态势。数据显示,1~9月全国集成电路的产量为943.9亿块,同比增长约18.2%。据中国半导体行业协会统计,1~6月全行业实现销售额为1847.1亿元,同比增长16.1%,其中,设计业继续保持较快增速,销售额为685.5亿元,同比增长24.6%,制造业销售额为454.8亿元,同比增长14.8%,封装测试业销售额为706.8亿元,同比增长9.5%。但海关数据显示,1~9月全国集成电路进出口额均出现不同程度的下滑。其中,进口金额1615.5亿美元,同比下降0.7%,出口金额444.7亿美元,同比下降5.4%,整体经济面临下行压力对我国集成电路产业造成了一定影响。
第二,技术水平和企业实力同步提升。芯片设计方面,16纳米先进设计水平进一步提升,华为海思目前已经发布了麒麟950、955、960三款基于16纳米FinFET技术的商用SoC芯片;芯片制造方面,今年2月中芯国际宣布其28纳米高介电常数金属闸极工艺已经成功流片,这标志着中芯国际成为中国大陆首家能够同时提供28纳米多晶硅和高介电常数金属闸极工艺的晶圆代工企业,在量产的基础上完成技术升级,实现了该工艺节点的技术覆盖;封装测试方面,长电科技斥资2亿美元助力星科金朋积极布局高端SiP项目,随着下游高端客户的需求提升及公司SiP产能扩大,将带动星科金朋营收及利润快速增长。
第三,国际合作持续推进,重点产品布局初步成型。《推进纲要》发布以来,海外龙头企业不断调整与我国合作策略,逐步由独资经营向技术授权、战略投资、先进产能转移、合资经营等方式转变,国际先进技术、资金加速向国内转移。今年1月,英特尔、高通分别与清华大学、澜起科技以及贵州省签署协议,在服务器芯片领域开展深度合作。其中,英特尔授权清华大学、澜起科技X86架构,开发“CPU+FPGA”结构的可重构服务器芯片;高通与贵州省政府成立了合资公司,开发基于ARM架构的高性能服务器芯片。此外,一批芯片制造重大项目陆续启动。如武汉存储器项目于3月开工建设,总投资240亿美元;台积电在南京启动了总投资30亿美元的12英寸先进逻辑工艺生产线项目,预计2018年下半年投产,月产能达到2万片;福建晋华存储器项目于7月开工建设,项目一期投资370亿元,预计2018年形成月产能6万片DRAM芯片生产能力。
第四,国家基金对地方性基金撬动作用进一步凸显。今年以来,国内陆续新增多支地方性集成电路产业投资基金,总规模超过500亿元。其中,湖南省于3月设立了先期2.5亿元规模的集成电路创业投资基金,并计划于2015年~2017年阶段性设立30亿~50亿元规模的集成电路产业投资基金;上海市于4月完成了首期集成电路产业投资基金的募资工作,规模达到285亿元,将重点投资芯片制造业;四川省于5月设立了集成电路和信息安全产业投资基金,基金规模120亿元,存续期10年;辽宁省于6月设立了集成电路产业投资基金,基金规模100亿元,首期募资20亿元;陕西省于9月设立的初始规模60亿元、目标规模300亿元的集成电路产业投资基金。国家集成电路产业投资基金设立以来,撬动作用逐步显现,适应产业规律的投融资环境基本建立。
未来存储器产品布局有望全面铺开
下一阶段,顶层设计将进一步完善,助力产业持续发展。2016年是“十三五”的开局之年,随着第一阶段目标的顺利完成,《推进纲要》的实施工作也正式开启了第二阶段的序幕。4月19日召开的“网络安全和信息化座谈会”上,特别突出了信息技术对国民经济发展的巨大促进作用,并从基础技术、通用技术,非对称技术、“杀手锏”技术,前沿技术、颠覆性技术等三个方面对核心信息技术发展进行了部署,对新时期集成电路产业发展提出更高的要求。
随着《中国制造2025》、“互联网+”行动指导意见等一系列国家战略的持续深入实施,中国集成电路产业将继续保持平稳快速的发展态势。预计全年产业销售额将超过4300亿元,同比增速约20%。与此同时,从产业结构来看,芯片设计业比重将进一步提升至约40%,可以为下游芯片制造和封装测试环节带来大量订单,有效推动产业链的协同发展。
同时,存储器产品布局有望全面铺开。今年以来,武汉,深圳、合肥、泉州等多地拟布局或开工建设存储器芯片生产线。全球存储器业自1999年始,历经六次大的兼并与退出,厂家数量越来越少,至今为止DRAM方面只剩下三家,包括三星、海力士和美光。而闪存方面也只有三星、东芝/闪迪、海力士以及美光/英特尔等四组。存储芯片领域很久没有“新进者”出现了。中国此轮“存储热潮”既说明《推进纲要》第一阶段实施工作已取得显著成果,也预示着下一轮全球存储器发展的中心将逐步向中国转移。
另外,中资“海淘”受审查壁垒影响步伐将趋缓。自2015年以来,全球半导体产业兼并重组、资本并购频发,全年并购总金额超过1200亿美元,中国企业(或者资本)也积极参与到这一进程之中。美国外商投资委员会(CFIUS)一份报告指出,近三年中资并购案居美国国安审查首位,约占总数近1/5。中国如此大规模的并购行为也引发了各国高度警戒,纷纷采取防止关键技术外流的措施。CFIUS近一年来以威胁美国国家安全为由,封杀了多起中资参与的并购案,当前,中国集成电路产业正处于快速上升期,国际并购是支撑这一阶段发展的有效途径,但由于操作层面经验不足,在一定程度上引起了国际产业界的抵触情绪。
建议营造高效的创新创业金融环境
从市场需求来看,我国拥有全球最大且增长最快的集成电路市场,特别是随着相关国家战略的组织实施,双创工作持续深入推进,内需市场活力将进一步释放,我国集成电路产业将迎来更加广泛的前景。但同时也应看到,国内产业仍面临技术水平差距大,产品供给存在结构性短板,以及人才总量不足,特别是高端人才缺乏等突出问题。
为此提出一些建议:一是持续推动产品差异化发展,进一步加强需求牵引,以终端定义芯片,提升消费类、通信类产品芯片层次,提升产品性价比,加紧布局工业控制、汽车电子、传感器等芯片开发,推动芯片产品供给侧结构性改革;二是进一步优化产业发展环境,推动形成高效的产业资本与金融资本对接机制,适当放宽集成电路企业上市融资的条件,营造高效的创新创业金融环境。三是创新人才培养和引进机制,加强产学对接,紧密结合产业发展需求培养国际化、复合型、实用性人才。完善鼓励创新的分配激励机制,研究针对优秀企业家和团队的引进“绿色通道”。