存储器投资再加码 SK海力士明年投资上看50亿美元

　　韩国存储器厂SK海力士2017年投资布局逐渐成形，扩厂加增设新厂，总投资规模上看六万亿韩元(约50亿美元)。

　　据台湾地区科技媒体ETnews、com报导，海力士今年估计砸下近50亿美元在设施投资上，明年预估只会更多。海力士目前正在对利川(Icheon)M14进行扩厂，将用以生产72层3D NAND快闪存储器。

　　除此之外，SK海力士还将增加投资无锡厂附属设施，并将再增建一座新厂(暂称C2F)。无锡厂建于2006年，主要用于生产DRAM，近十年来对海力士营收成长做出不少贡献。

　　另外，SK海力士周四已先行宣布新3D NAND存储器的设厂计划(推测代号M15)，规模约略与利川M14厂相当，占地达23.4万平方米，估计于明年八月动工，2019年六月完工，至于实际量产时间，将视当时市况而定。

关注电子行业精彩资讯，关注华强资讯官方微信，精华内容抢鲜读，还有机会获赠全年杂志

关注方法：添加好友→搜索“华强微电子”→关注

或微信“扫一扫”二维码