2017年DRAM出货成长率或将低于20%

　　一般估计，DRAM的位元出货成长率(bit growth)低于40%，DRAM厂商便可获利，而2017年因为大厂没有新的投资计划，DRAM的出货成长率甚至可能低于20%，所有的大厂都可能因此受惠。这也是DRAM产业成形以来，出货成长率首度可能低于20%的年份，不少人甚至认为，DRAM将有个不算短的好光景。

　　三星电子(Samsung Electronics)高层最近提到，2017年位元成长率可能为15~20%，对于2017年的获利，抱持着高度的期待，而美光(Micron)也在2016年底的法说会上，提出类似的看法，SK海力士(SK Hynix)则指出，DRAM投资转向NAND Flash，因此DRAM的供应量，将于低于需求量的成长率。在DRAM大厂多数的异口同声下，遥遥领先的三星，当然可以好整以暇等待大笔获利入袋。

　　深究近期DRAM没有新投资，关键在于技术尚未突破，生产线转换并无意义。回顾1990年代，甚至2000年开始的前5年，全球DRAM市场的位元成长率动辄70~90%，造成大家流血竞争，直到全球DRAM市场整合为三星、海力士、美光三大厂后，成长率就维持在25~30%，市场景气与获利状况，开始进入黄金阶段。

　　在NAND Flash的位元成长率方面，三星估计是30~35%，美光则认为35~40%，与2016年的40%相去不远。目前厂商将资源集中于3D NAND的投资，但技术上的突破十分困难，要大量增加供给也非常困难，市场上对于固态硬碟(SSD)的需求未曾减少，估计2017年也可能是个丰收年。

　　预期三星、SK海力士两大半导体获利，在2017年有机会挑战30兆韩元(约263亿美元)的新高水准。除了记忆体价格上扬之外，晶圆代工的商机也备受期待。

　　根据市场的判断，三星2017年的获利，将比2016年成长60%，SK海力士甚至可能倍数成长，预期的获利都是历史新高。回顾过去1年，记忆体价格从2016年中开始稳定上扬，预期2017年第2季PC DRAM价格虽有可能下滑，但因技术瓶颈，供给没有增加，所以第3季便可能回稳。

　　过去月产能15万片晶圆的12吋DRAM厂，投资金额在4亿~5亿美元，但现在需要8亿~9亿美元。另外，3D NAND因为伺服器与存储设备的需要，SSD商机稳定，价格也不会有太大的波动。三星由System LSI部门领军的晶圆代工事业，因为稳定掌握高通(Qualcomm)的订单，预期2017年也会是个丰年。估计SK海力士2017年营收为23.3兆韩元，获利7.8兆韩元，三星半导体则是营收64兆韩元，获利21.5兆韩元，营业利益率将超过30%。

　　三星半导体研究所长郑恩胜，日前在江原道举办的南韩半导体技术大会中担任主讲人，指出以现有的技术到2030年为止，半导体的线幅还可以持续的缩小到1.5nm，但DRAM必须找到新的物质，如果在化学材料上难以突破，届时到了2021年，DRAM技术的开发便会遭遇撞墙的障碍。目前三星掌握的最新DRAM技术是18nm制程技术，而往下走到10nm便已经困难重重。

　　另一方面，郑恩胜在介绍新技术时，特别强调正在研发的STT-MRAM技术，三星将以单晶片的嵌入式设计，来实现新技术的应用。郑恩胜在会场展示三星搭载显示面板上的时序控制器(time controller)。此外，三星也介绍了整合影像感测器、逻辑IC、DRMA的三合一晶片，未来将会运用于智慧型手机非常关键的超高速照相功能上。

　　市调机构也预估，2017年全球半导体市场的规模，将可比2016年成长7.2%，而世界半导体贸易统计协会(WSTS)估计是保守的3.3%。一般后端设备的供应商认为，3D NAND与晶圆代工厂会是2017年设备投资主力，估计设备市场将可达434亿美元，成长率为9.3%。全球各大市场中，台湾以102.2亿美元(23.5%)的比重独占鳌头，而南韩也有97.2亿美元(22.4%)，屈居第二。但如果加上三星在洁净室、新厂的投资，南韩可能会是2017年全球半导体资本支出最大的国家，

　　日前国际半导体产业协会(SEMI)公布，2017年三星将投资近100亿美元购买半导体设备，规模堪称全球业界之最，主要集中于3D NAND、大陆及南韩平泽。然而三星是否会因为李在镕入狱，影响到2017年的投资速度?业界应密切注意。

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