外资赴陆设厂加剧竞争 大陆晶圆代工厂今年全力冲刺28纳米工艺

外资赴陆设厂加剧竞争 大陆晶圆代工厂今年全力冲刺28纳米工艺

　　随着联电厦门子公司联芯的28纳米先进制程工艺计划在今年第二季正式量产，拓墣产业研究院指出，中国大陆本土晶圆代工厂今年将冲刺在28纳米最先进制程工艺的布局，进度最快的本土晶圆代工厂为中芯国际与华力微电子。然而，随着外资纷纷于中国大陆设立晶圆厂，本土晶圆代工厂面临技术、人才、市场上的直接竞争压力。

　　拓墣指出，中国大陆本土纯晶圆代工厂商目前最先进的量产制程工艺为28纳米，根据统计，2016年中芯国际28纳米晶圆产能全球占比不足1%，与28纳米制程市占率分别为66.7%、16.1%与8.4%的前三大纯晶圆代工厂商台积电、格罗方德、联电仍有较大差距。

　　不过，根据中芯国际财报显示，2016年第四季28纳米营收占比达到3.5%。中芯国际首席执行官邱慈云在2月15日的法说会上表示，28纳米以下制程工艺会是2017年中芯的成长动能之一，预期2017年底28纳米以下制程工艺将占公司营收比重达到7%-9%。在刚公布的2016年业绩报告中，中芯国际也展望2017年底28纳米季度营收占比接近10%。

　　观察华力微电子的制程工艺布局进度，虽然华力微电子宣布与联发科合作的28纳米移动通信芯片已顺利流片，但距量产仍有一段距离。华力微电子二期项目已于2016年底开工，计划2018年完工试产，预期将导入28纳米生产线，后期逐渐过渡至20纳米、14纳米，华力微电子二期项目也有导入22纳米FD-SOI工艺的计划。

　　拓墣指出，目前正值中国集成电路产业飞速发展时期，除了本土晶圆制造厂商大力扩张发展外，受地方政府及资本的追捧，外资厂商也纷纷登陆，各厂商都寄望在中国集成电路产业发展的关键之际提前布局，占据有利市场地位。根据外资厂商进驻大陆的技术布局习惯，一般会授权(N-1)代的技术，然而，这些技术往往又会对同期中国本土厂商产品造成很大的冲击。

　　外资晶圆厂制程领先，冲击本土厂商

　　截至目前，在纯晶圆代工领域，选在南京建厂的台积电将于2018年下半年导入16纳米FinFET制程工艺，预计对中芯国际2019年初的14纳米FinFET量产计划产生较大影响;于成都落脚的格罗方德将于2019年底导入22纳米FD-SOI工艺制程，直接压迫同期华力微电子22纳米FD-SOI工艺的布局计划。

　　另一方面，去年底刚投产的厦门联芯，初期导入55/40纳米制程工艺，近日在联电成功实现14纳米FinFET量产计划的条件下，宣布正式获得联电28纳米技术授权，并计划最快2017年第二季度导入量产，预估到年底在产能一万六千片中，有一万片是28纳米。

　　在量产速度上，联芯成为大陆领先。虽然中芯国际的28纳米制程工艺已在这之前开始量产，但从产品规格来看，中芯更多偏向中低端的28纳米Ploy/SiON技术，对于高端的28纳米HKMG制程工艺涉足并不深，而联电的28纳米在量产时间上领先中芯国际两年，技术水准也相对更加全面和稳定，预计未来会对中芯国际28纳米的布局产生较大的影响。

　　因此，拓墣指出，未来随着各外资厂商新厂的落成投产，等待大陆本土厂商的将是来自各外资厂商在技术、人才、市场等多方面资源的直接竞争，中国大陆晶圆代工厂先进制程布局将全面开战。

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