Littelfuse新的1200V碳化硅肖特基二极管 可提高效率与功率密度

　　近日，Littelfuse公司推出首款GEN2系列1200V碳化硅（SiC）肖特基二极管，以配合2017年欧洲电力转换与智能运动(PCIM)展的开幕。这种碳化硅二极管是通过Littelfuse与Monolith Semiconductor合作技术平台开发的产品系列中的首批产品。其他基于该技术平台的碳化硅产品（包括1200V碳化硅金氧半场效晶体管）正在筹备中，预计于不远的将来推出。

　　GEN2碳化硅肖特基二极管的额定电压为1200V，工作电流从5A至10A不等，采用TO220-2L或TO-252-2L封装。相比标准的硅双极功率二极管，这种二极管让电路设计师能够大幅降低开关损耗，并显著提高电力电子系统的效率与耐用性。它可在避免热逸散的情况下承受强浪涌电流，并且相比硅二极管能在更高的结温下工作。它还提供同类最佳的存储电容电荷与正向压降。

　　GEN2系列碳化硅肖特基二极管的典型应用包括功率因数校正(PFC)、直流-直流转换器的降压/升压阶段、逆变器级（开关模式电源、太阳能、UPS、工业驱动器）的续流二极管以及高频输出整流等需要改善效率、可靠性与热管理的应用。这种二极管对工业电源、太阳能逆变器、工业驱动器、焊接和等离子切割设备以及EV/HEV充电站的设计师和制造商而言尤其实用。

　　“这种新型碳化硅肖特基二极管的混合p-n肖特基(MPS)结构可以为电路设计师提供更强的浪涌性能以及极低的泄漏电流。”Littelfuse功率半导体产品营销经理Michael Ketterer表示，“相比传统的硅功率二极管，这种碳化硅肖特基二极管可提高转换器效率与功率密度，同时帮助降低系统层面的成本。”

　　Littelfuse GEN2系列碳化硅肖特基二极管具有以下关键优势：

　　1、同类最佳的电容存储电荷以及可忽略不计的反向恢复功能使其非常适合高频电源开关应用。它还能确保实现可忽略不计的开关损耗，并降低对相反开关的应力。

　　2、同类最佳的正向压降可确保低传导损耗。

　　3、175°C的最高结温可提供更大的设计余量以及更为宽松的热管理要求。