三星研发出新 V-NAND 存储器，容量 1Tb

　　三星电子 NAND Flash 技术再升级，9 日宣布研发出容量达 1 Tb(terabit)的 3D NAND 芯片，预计明年问世。

　　Pulse、ZDNet、韩联社报导，三星研发 1Tb 的 V-NAND 芯片(即垂直堆叠的 3D NAND)，容量是当前最大存储器 512Gb(gigabit)的两倍。三星将结合 16 个 1Tb 的 die，构成一组 V-NAND 组，每组存储器容量可达 2TB(terabyte)。三星宣称，该技术是过去 10 年来存储器的最大进展之一。

　　1Tb 相当于 126GB，能够储存 60 部两小时的高画质电影。三星表示，许多产业发展人工智能和物联网，数据密集的应用程序大增，Flash 存储器扮演关键角色，可以加快资料抽取速度，以供即时分析。

　　不只如此，三星也秀出 NGSFF 固态硬盘(Next Generation Small Form Factor SSD)，将取代当前的 M.2 SSD 规格。三星表示 NGSFF 容量为前代的 4 倍，将于今年第四季量产。

　　三星 2016 年发布 Z-SSD 技术，现在首度发布采用此一技术的 SZ985 固态硬盘，宣称可用于数据中心和企业系统，处理大数据分析等数据密集作业。Z-SSD 读取延迟时间为 15 微秒，大约是 NVME 固态硬盘的七分之一。

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