KLA-Tencor针对7纳米以下IC的制造推出五款显影成型控制系统

　　KLA-Tencor公司今天针对7奈米以下的逻辑和尖端记忆体设计节点推出了五款显影成型控制系统，以帮助晶片製造商实现多重曝光技术和EUV微影所需的严格製程公差。在IC製造厂内，ATL?叠对量测系统和SpectraFilm?F1薄膜量测系统可以针对finFET、DRAM、3D NAND和其他复杂元件结构的製造提供製程表徵分析和偏移监控。 Teron?640e光罩检测产品系列和LMS IPRO7光罩叠对位準量测系统可以协助光罩厂开发和鑑定EUV和先进的光学光罩。 5DAnalyzer?X1高级资料分析系统提供开放架构的基础，以支持晶圆厂量身定制的分析和实时製程控制的应用。这五款新系统拓展了KLA-Tencor的多元化量测、检测和资料分析的系统组合，从而可以从根源上对製程变化进行识别和纠正。

　　“对于7奈米和5奈米设计节点，晶片製造商在生产中找到叠对误差，线宽尺寸不均和热点(hotspot)的根本起因变得越来越困难，”KLA-Tencor公司全球产品部执行副总裁Ahmad Khan表示：“除了曝光机的校正之外，我们的客户也在了解不同的光罩和晶圆製程步骤变化是如何影响显影成型的。 通过提供全製造厂範围的开放式量测和检测资料，IC工程师可以对製程问题迅速定位，并且在其发生的位置直接进行管理。 我们的系统，例如今天推出的五款系统，将为客户提供我们最尖端的技术，让他们的专家能够降低由每个晶圆、光罩和製程步骤所导致的显影成型误差。

　　支持7奈米以下设计节点元件的显影成型控制的五个新系统包括：

　　 ATL叠对量测系统採用独特的可调雷射技术，具有1奈米分辨率，在製程发生变化的情况下仍然可以自动保持稳定的高精度叠对误差测量，从而支持快速的技术开发提升并在生产过程中进行精确的晶圆处置。

　　 SpectraFilm F1薄膜量测系统採用全新光学技术，对单层和多层薄膜厚度和均匀性进行高精度测量，用以监测量产中的沉积製程，并提供能隙(bandgap)资料，从而无需等到生产线终端测试就可以提早预测元件的电性能。

　　 Teron 640e光罩检测系统採用增强的光学、检测器和演算法功能，可以捕捉关键的显影和微粒缺陷并实现高速检测，协助先进的光罩厂推动EUV和光学显影光罩的开发和鑑定。

　　 LMS IPRO7光罩叠对位準量测系统採用全新的操作模式，可以在很短的周期时间内精确测量元件内的光罩显影放置误差，从而为光罩电子束直写机校正提供全面光罩鑑定，并在IC製造厂内减少光罩相关造成的元件叠对误差。

　　 5D Analyzer X1资料分析系统提供了一个可扩展的开放式架构，可接收来自不同量测和製程工具的资料，以实现对全厂範围内製程变化的高级分析、表徵描述和及时控制。

　　ATL、SpectraFilm F1、Teron 640e、LMS IPRO7和5D Analyzer X1是KLA-Tencor独特的5D显影成型控制解决方案?的一部分，它还包括用于显影化晶圆几何测量，临场製程测量，线宽和元件形貌量测，微影和显影成型模拟，以及发现关键热点的系统。 全球领先的IC製造商已开始使用ATL、SpectraFilm F1和5D Analyzer X1系统 ，以支持一系列显影成型控制的应用。而通过升级和新设备安装，Teron 640e和LMS IPRO7进一步增加了KLA-Tencor在尖端光罩厂中众多的光罩检测和量测系统的安装数量。为了保持IC製造所需要的高性能和高产量，ATL、SpectraFilm F1、Teron 640e、LMS IPRO7和5D Analyzer X1均由KLA-Tencor的全球综合服务网络提供支持。 有关五个新系统的更多信息，请参见先进显影曝光控製网页。

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