华邦电投3300亿建新厂，DRAM价格会崩盘么？
华邦电董事长焦佑钧昨日(9/25)与科技部长陈良基、高雄市长陈菊共同举行记者会，宣布华邦电将进驻南科高雄园区，投资3,300 亿元设立12 吋晶圆记忆体厂，预计于2020 年量产，为高雄十多年来最大的单一投资案，预期所产生的产业群聚效应，将使高雄半导体产业趋完整。
焦佑钧表示，华邦电未来15 年将投资3,300 亿元，打造7 万至8 万片晶圆产能，预计2020 年将率先导入20~25 纳米技术量产，且未来将有机会进入14 纳米或更先进技术。而该厂也将创造高雄在地人才就业，预估将招聘2,500 位高阶人才。
华邦电高雄厂需25 公顷土地，高雄市府已提出高雄科学园区增设第二园区的需求。科技部长陈良基指出，产业聚落很重要，将会考量综效，协助产业布局，管理局会将未来十年的土地、水电、空污都纳入考量，也需要市府协助，并希望高雄的大学院校能配合产业和科技发展，成为科学园区尖端的人才库。
台湾最大的DRAM厂
华邦电子股份有限公司于1987年九月由华新丽华集团转投资成立，为自有品牌IC设计及制造厂商，并为全世界第五大DRAM供应商。
公司分快闪记忆体 IC、DRAM产品及记忆IC制造等三大事业群。快闪记忆体IC产品专注于微控制器消费性产品、语音IC、多媒体IC、及电脑逻辑产品，如输出入控制IC、笔记型电脑键盘控制器(KBC);记忆体产品则有Commodity DRAM、 Pseudo SRAM、Low -power DRAM、利基型DRAM、及NOR Flash。为台湾少数拥有晶圆厂的集成电路设计公司，同时也是全球利基型记忆体的主要供应商。
作为岛内最大的DRAM 厂，华邦电目前仅有中科的一座12 吋厂。2016 年的年产能约4.3 万片，2017 年年底将扩增至4.8 万片，2018 年底则扩增到5.3 万片。未来，最大的扩充能量最大到5.5 万片时就已经将当前台中厂的剩余空间给全部用光。因此，面对未来的营运成长，兴建新厂成为不得不做的准备。在相关人员查看过南科路竹基地的土地之后，希望可以取得25 公顷规模来建厂，于是华邦电在2017 年6 月底向经济部补件递交计划书，现在终于获得相关单位的同意。
华邦电表示，目前公司正致力于转型为利基型记忆体解决方案供应商，近年持续稳定获利，转型效益显著。华邦在营运成长之际，随着物联网等未来趋势之新兴需求不断崛起，寻求下一阶段成长契机，秉持重视台湾在地投资的理念，向园区提出投资设立新厂案，希望进一步深耕台湾产业发展。未来将依董事会通过时程公告建厂及产能规划相关事宜，亦密切观察市场动态与供需情况，以稳健脚步审视产能配置，期以充沛产能满足客户需求。
华邦电现有技术分析
华邦电主要产品为Nor Flash、利基型DRAM、Mobile RAM。2017年Q1，公司产品比重Specialty占比为44%，Mobile RAM占15%、NOR Flash占41%。应用比重方面，通讯电子占32%，电脑占24%，消费性电子占26%，车用及工业用占18%。
从工艺上看分布，Specialty记忆体方面，46 纳米占90%，65纳米占10%。
Mobile RAM方面，90纳米占2%，65纳米占31%，46纳米占67%。
NOR Flash方面，90纳米占35%，58纳米占52%，46纳米占13%。
(1)NOR Flash产品：华邦电微Serial Nor Flash制造商，与旺宏同为全球最大供应商，主要应用于手机Feature Phone、PC(BIOS Code的储存)及消费性产品(STB及TV)等中低密度记忆体需求(512Kb~512Mb)的产品。2013年从Serial Flash扩展到Code Storage Flash，应用范围涵盖4C产品。
(2)DRAM产品：包括有利基型DRAM、Mobile DRAM 及Low Power DRAM 等，主要应用于手机(SP 的照相模组)、PC、网通及TV 等产品(包括有16Mb~2Gb 的SDR、DDR、 DDR2 及DDR3 等) 。
(3)Mobile RAM的部分，分为Pserudp及Low power，公司以Pseudo RAM为主，聚焦手持电子装置，主要供货给欧美厂商，密度Low Power DRAM应用于智能手机，用于相机模组等非主记忆体应用。主要客户有Micron与Spansion等。截至2013年第4季Pesudo及Low power比重为33%、67%。
公司积极发展利基型及手机用DRAM;在NOR Flash产品上则聚焦于中低容量市场。
DRAM价格会重演上世纪的崩盘么?
从去年下半年到现在，DRAM价格一路狂飙，市调机构IC Insights曾悲观地预计，年底前，DRAM颗粒价格还会有40%的暴涨。这就促使厂商在这个市场有所行动。
韩媒 etnews 报导，韩国存储器大厂 SK 海力士(SK hynix)26 日表示，今年将斥资 86.1 亿美元(约 9.6 万亿韩元)，进行设备投资。此一金额比年初宣布数字高出 37%，也比该公司去年的设备投资总额高出 53%。
SK 海力士撒钱，是想让新厂提前完工。该公司主管 Lee Myung-young 说，生产 DRAM 的中国无锡厂和生产 NAND Flash 的韩国清州(Cheongju)厂，原定完工时间是 2019 年上半，如今将提早至 2018 年第四季，比预定时间提早半年。
SK 海力士强调，新厂落成后，存储器产出不至于暴增，估计 DRAM 和 NAND Flash 产能只会增加 3~5%，呼吁市场放心。业界人士认为，这是因为资金多用于技术升级。
韩媒 BusinessKorea 表示，三星斥资 10 兆韩元(约 87 亿美元)扩充 DRAM 产能，预定两年后完工。
然而韩国先驱报说法不同，先驱报称，半导体界透露，三星正在评估年度投资计划，有意在韩国华城(Hwaseong)的 17 号厂内部增加产线，并在 17 号厂旁边另盖新工厂。外界对于新产能用途看法不一，有人认为三星会增产DRAM、也有人说要生产系统半导体。
三星发言人表示，目前为时过早，无法确认投资计划和新产线用途，详细内容敲定后，会在本月底或 4 月初宣布。
各方看法不一，可能由于华城厂产线多元，17 号厂兴建之初只生产系统芯片，但是三星两度扩建 17 号厂，增加了 DRAM 和 3D NAND 产线，这次扩产目的难以判断。有人猜测，17 厂内部的新增产线可能用于生产 10 纳米系统芯片、新工厂则生产 7 纳米系统芯片。
三星扩产对象还不明朗，就算三星真的扩产 DRAM，Susquehanna Financial Group 的 Mehdi Hosseini 信心喊话，指出光是扩产宣言不至于动摇市场，需求才是观察重点。
这次华邦电也扩产。
虽然三星和SK海力士都声称不会对价格造成影响。但这些玩家的持续投资，让编者想起了上个世纪的DRAM争夺战。在各大公司的持续投入下，DRAM 价格从1984 年初的4 美元/片一路下滑到1985 年的30 美分/片。最后直接导致美国一大批公司退出这个市场，让DRAM市场花了很长一段时间才恢复元气。
这次的投资生产会否重演之前的“悲剧”，那就是这些厂商着重考虑的问题了。
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