2018年NAND Flash供给年增42.9% 全年度供需由紧俏转为平衡

2018年NAND Flash供给年增42.9% 全年度供需由紧俏转为平衡

　　根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)指出，2017年NAND Flash产业需求受到智能手机搭载容量与服务器需求的带动，加上供给面受到制程转进进度不如预期的影响下，供不应求的状况自2016年第三季起已持续六个季度;展望2018年，NAND Flash供给将增加42.9%，需求端将成长37.7%，明年整体供需状况将转为供需平衡。

　　DRAMeXchange资深研究经理陈玠玮指出，从NAND Flash的供给面来看，因为NAND制程从2D转进3D不如预期，导致2017年非三星阵营的新增产能没有百分之百完善利用，再加上转换期间所带来的产能损失，让2017年市场呈现整体供不应求的状态，2018年随着非三星阵营供货商在64/72层3D-NAND制程成熟后，整体NAND Flash产业供给量年成长率预估将达42.9%。

　　反观2018年需求面状况，在第一季淡季影响下，智能手机、PC、平板电脑等出货量预期都将比2017年第四季来得明显下滑，NAND Flash市场将由供不应求转为供过于求。而综合2018年全年度供给与需求面状况，NAND Flash市场供需将趋于平衡。

　　2018年全球3D-NAND产出占比逾七成，三星技术与规模领先群雄

　　2017年在非三星阵营3D-NAND制程转换不顺的影响下，3D-NAND产出占NAND Flash整体产业比重约50%，2018年随着SK海力士、东芝/西数、美光/英特尔阵营的3D-NAND比重都将提升的情况下，2018年3D-NAND的产出占比将突破70%大关。

　　从各厂制程进度来看，三星64层3D-NAND自今年第三季已经开始进入量产阶段且今年第四季3D产能比重将突破50%，明年将提升到60-70%水平。SK海力士今年第四季3D-NAND产能占比约为总产能的20-30%水平，以48层3D-NAND为主，但明年将会专注于扩充72层3D-NAND产能，3D-NAND产能比重在2018年第四季也会来到40-50%。

　　东芝/西数阵营今年上半年主流制程为48层3D-NAND，预期今年第四季3D-NAND的占比将会占东芝/西数阵营整体产能约30%水平，2018年第四季目标突破50%。在产能规划上，新的半导体厂房Fab6在2017年3月已开始动工兴建，预计在2019年才会开始量产最新的3D-NAND产品。值得注意的是，由于东芝与西数目前对于新厂的合作态度与先前有所不同，所以日后可能仍有变数存在。

　　美光/英特尔阵营今年上半年32层3D-NAND的产出已有稳定的经济规模，并在今年第三季度起已开始量产64层3D-NAND，目前良率已达量产水平，今年第四季3D-NAND产能比重有机会来到40-50%。2018年随着英特尔将扩充中国大连厂第二期产能，其3D-NAND比重将于明年第四季提升到60-70%水平。

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