Intel 10nm工艺使用了第三代FinFET立体晶体管技术

Intel 10nm工艺使用了第三代FinFET立体晶体管技术

　　摘要：Intel 10nm工艺使用了第三代FinFET立体晶体管技术，晶体管密度达到了每平方毫米1.008亿个(符合官方宣称)，是目前14nm的足足2.7倍!

　　作为科技行业著名的“牙膏厂”，英特尔一直走在所有厂商前面。因为它的10nm制程已经跳票三年之久，每当一款新的处理器发布，众人翘首以待10nm的到来，可英特尔还是给用户泼冷水，继续跳票10nm工艺。

　　对于很多用户而言，都在疑问为何英特尔一直跳票10nm呢?因为相比起同期的台积电、三星等厂商，10nm工艺早已经量产上市，并已推出苹果A11、Exynos 9810等芯片，而作为PC领域中的大哥人物，为何英特尔跟不上潮流的发展呢?而今天，外媒TechInsight就给出了一份满意的答复。

　　目前，Intel 10nm处理器已经小批量出货，已知产品只有一款低压低功耗的Core i3-8121U，由联想IdeaPad 330笔记本首发。

　　TechInsight分析了这颗处理器，获得了一些惊人的发现，直接证实了Intel新工艺的先进性。

　　分析发现，Intel 10nm工艺使用了第三代FinFET立体晶体管技术，晶体管密度达到了每平方毫米1.008亿个(符合官方宣称)，是目前14nm的足足2.7倍!

　　作为对比，三星10nm工艺晶体管密度不过每平方毫米5510万个，仅相当于Intel的一半多，7nm则是每平方毫米1.0123亿个，勉强高过Intel 10nm。

　　至于台积电、GF两家的7nm，晶体管密度比三星还要低一些。

　　换言之，仅晶体管集成度而言，Intel 10nm的确和对手的7nm站在同一档次上，甚至还要更好!

　　另外，Intel 10nm的最小栅极间距(Gate Pitch)从70nm缩小到54nm，最小金属间距(Metal Pitch)从52nm缩小到36nm，同样远胜对手。

　　事实上与现有其他10nm以及未来的7nm相比，Intel 10nm拥有最好的间距缩小指标。

　　Intel 10nm的其他亮点还有：

　　- BEOL后端工艺中首次使用了金属铜、钌(Ru)，后者是一种贵金属

　　- BEOL后端和接触位上首次使用自对齐曝光方案(self-aligned patterning scheme)

　　- 6.2-Track高密度库实现超级缩放(Hyperscaling)

　　- Cell级别的COAG(Contact on active gate)技术

　　当然了，技术指标再先进，最终也要转换成有竞争力的产品才算数。

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