三星扩大NAND投资，2019年资本支出将达90亿美元

三星扩大NAND投资，2019年资本支出将达90亿美元

　　韩国业界最近指出，三星电子2019年的NAND Flash资本支出将达90亿美元，预计将以韩国平泽、中国西安为主，扩大高容量3D NAND生产规模，期望拉大与其它竞争对手间的差距。

　　韩媒朝鲜日报引述业界消息，三星2018年的NAND Flash资本支出约64亿美元，预计2019年将扩大为90亿美元左右，明显高于其它NAND Flash竞争对手的资本支出水平。

　　2018年各家原厂在64层3D NAND上拼产能，2019年全球将集中在先进的96层技术上竞争，身为NAND Flash龙头的三星，已宣布开始量产第五代96层3D NAND，为了确保市场上的领先优势与版图，将采取更为积极的战略，市场恐重现NAND Flash供给过剩的恶梦。

　　事实上，继PC、手机之后，汽车、服务器、人工智能等多样化领域需求浮现，三星、东芝/西部数据、SK海力士及美光争相扩产，比如三星在新建Fab18工厂后，开始启动西安二期工厂，东芝/西部数据则新建Fab6和Fab7工厂，美光Fab10三期、SK海力士M15，新工厂的建设势必将需要大量的资金投入。

　　另一方面，中国大力发展存储产业，长江存储已成功量产并出货32层3D NAND，武汉存储器基地即将于2018年底前量产3D NAND，从2018年至2019年，将执行约65亿美元的扩产投资，NAND Flash市场竞争势将愈演愈烈。2018年由于各家原厂64层3D NAND倾巢出笼，导致上半年NAND Flash价格持续下滑，且已回到2016年涨价时期的价位，预计在各家原厂供给过剩的情况加深的影响下，价格将进一步下滑，企业获利备受挑战。

　　面对这样的情况，三星2019年不仅增加资本投资，且明显高于其它竞争对手的资本支出水平，虽然三星已宣布量产96层3D NAND，但是其竞争对手东芝/西部数据也重押96层3D NAND，加码投资Fab6工厂增加96层技术的生产设备，所以三星必然不会落后他人。

　　三星重视NAND Flash技术与投资竞争，除了确保在市场上的领先地位外，更重要的是为了扩大在SSD市场上的市占率，同时也是其他原厂必争之地。随着先进技术降低成本，高容量SSD价格刺激市场需求的增加，预计2018年SSD在消费类PC市场的搭载率将超过50%，正式与HDD平分市场，而且SSD市场应用将持续扩大。

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