全国首条砷化镓微波芯片产线明年初投产，拟投资10亿

　　北京双仪微电子科技有限公司(双仪微电子”)将投资10亿元在北京市亦庄经济技术开发区建造目前全国唯一具备规模化量产能力的先进工艺技术生产线，进行砷化镓微波集成电路(GaAs MMIC)芯片的代工服务，预计于2019年初投产使用。

　　北京商报报导，双仪微电子公司相关负责人表示，项目建成后，6英寸GaAs MMIC芯片代工厂将具备每月2万片产能。

　　自上世纪90年代中期，GaAs MMIC就成为无线通讯产业不可或缺的IC元件，并取代了射频、微波领域里低性能的硅基集成电路。

　　由于砷化镓器件的工艺制造过程比硅器件困难许多，到目前为止，国内仍没有一家成熟的公司可以生产砷化镓MMIC芯片，手机生产厂商所需的砷化镓MMIC芯片全部依赖进口，对我国的半导体产业和通讯产业造成了巨大的隐患。

　　该项目的最终目标是建设成为全球名列前茅的微波集成电路(MMIC)供应商，满足国内市场对砷化镓MMIC芯片的迫切需求，扭转国内砷化镓MMIC芯片完全依赖进口的不利局面。

　　北京双仪微电子科技有限公司是一家技术初创公司，旨在为5G和IoT毫米波市场领域所遇到的挑战开发出新的解决方案，提供高性能的射频元件。

　　双仪微电子砷化镓单片微波集成电路研发及产业化项目将租赁北京燕东微电子科技有限公司的部分厂房和场地进行建设，透过装修改造建成目前大陆唯一具备规模化量产能力的先进工艺技术生产线，进行MMIC芯片的代工服务。

　　如今北京亦庄开发区已聚集集成电路上下游企业近100家，预计到2020年，开发区集成电路产业可实现年工业产值500亿元，利润160亿元，税收16亿元。

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