长江存储首次量产64层3D NAND 技术追赶重于市场价值

　　9月初，在上海中国国际半导体博览会举行前夕，紫光集团旗下的长江存储宣布开始量产基于Xtacking架构的64层256GB TLC 3D NAND闪存 ，而这也是中国首次实现64层3D NADA闪存芯片的量产。产品将应用于固态硬盘、嵌入式存储等主流市场应用。

　　在NAND Flash市场中，三星、东芝、镁光、SK海力士、西部数据、英特尔这六家企业长期垄断着全球99%以上的份额。据编者了解，在今年的第一季度，全球市场占有率前二的三星和东芝甚至合计占领超过50%的NAND Flash市场份额。而纵观整个NAND Flash市场，已经有很长一段时间没有出现过新的玩家，特别是进入3D NAND时代后，技术门槛的提高让许多NAND Flash芯片的后来者望而却步。

　　作为后来者的长江存储，其实早在2018年，就已经量产了32层3D NAND闪存芯片。然而在2018年，各家的64层、72层3D NAND闪存已经是主打产品，早已全面铺货，落后一代的差距使得当时长江存储并没有引起业界关注。

　　而去年的闪存暴跌，各大厂商延缓了96层3D NAND的扩产计划，从而导致了3D NAND的技术升级进展放缓。尽管目前，96层3D NAND已经有部分厂商开始批量出货，但市场上产品并不多，暂时还是由64层3D NAND芯片占据主流市场。因此，这就给长江存储带来了一次绝佳的赶超机会。

　　在NAND闪存市场，技术创新才是第一生产力，各家闪存生产商都在比拼着存储颗粒的单位容量密度和I/O读写速度。据编者了解，长江存储本次量产的64层3D NAND采用了自主研发的Xtacking的堆栈架构，不同于其他市面上的NAND闪存产品，它可实现在两片独立的晶圆上分别加工外围电路和存储单元，从而大幅提高储存密度。而在I/O速度方面，官方宣称Xtacking技术能够大幅提升NAND I/O速度到3Gbps，而三星在去年7月宣布量产的第五代64层V-NAND 3D堆叠闪存I/O速度仅为1.4Gbps。

　　但截至目前为止，长江存储并没有公开具体产品的I/O速度，也没有实际产品在市面上发布，所以，这个数据还有待商榷。参考当年轰动一时的英特尔3D XPoint技术，官方说法为"性能和可靠性是普通闪存的1000倍，容量密度是内存的10倍"。然而，在后来的实测中，证实理论值与实际值相差甚远。

　　值得一提的是，今年7月，三星已经量产第六代136层V-NAND 3D堆叠闪存，对比之下，三星领先的幅度可想而知。

　　况且，与DRAM市场不同，尽管六大厂商占据99%以上的份额，但存储芯片市场的竞争一向十分激烈。即使近年闪存价格暴跌，市场遇冷，头部厂商们仍然不遗余力地致力于新技术的推进。三星为了进一步巩固其领先的优势，在今年已经宣布投资70亿美元在西安设厂，并在研发方面还将加大投入;SK海力士也宣布投资约1.22万亿韩元用于加强合作伙伴公司和半导体生态系统的关系。

　　因此，长江存储目前面临的处境依然很严峻，毕竟相比其他厂商，长江存储目前还是处于"只出不入"的阶段。再加上目前闪存市场还处于低迷的状态，在64层3D NAND闪存芯片量产后，长江存储当务之急便是如何尽快取得市场份额。

　　虽然业界人士都普遍看好明年的NAND闪存市场，但从三星等巨头扩张产线的动作来看，显然他们都已经准备好即将到来的新一轮需求，将进一步释放产能，供过于求的状况可能还会持续很长一段时间。这样一来，对于长江储存而言可能并不是好事，市场价格低迷使得价格优势不再适用。

　　不过，据业内人士透露，长江存储最快明年将跳过96层直接进入128层3D NAND闪存的生产，这将有望接近甚至追赶上国际先进水平。届时，也许才是国产储存芯片能够真正跟国际大厂一决高下的时刻。

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