三星:3nmGAA研发进度领先台积电,将尽早商业化

来源:界面新闻 网络整理 作者: 时间:2021-08-27 14:20

三星 3nm GAA 研发

8月26日消息,据韩媒Business Korea报道,三星电子装置解决方案事业部门技术长Jeong Eun-seung周三(25日)在一场网络技术论坛中表示,三星能够抢在主要竞争者台积电之前,宣布GAA技术商业化。

他说,“我们开发中的GAA技术,领先主要竞争者台积电。一旦巩固这项技术,我们的晶圆代工事业将可更加成长。”

据报道,GAA是3纳米制程的关键。GAA技术的优点在于改变电晶体架构,将之由鳍式场效电晶体(FinFET)的3D转为GAA的4D。

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行业分析师指出,谁先将首先将GAA技术商业化,还有待进一步观察。这是因为台积电在早期也积极将该技术商业化。2011年至2020年间,全球31.4%的GAA专利来自台积电,三星电子的GAA专利占20.6%。

三星电子表示,其在技术上与台积电并驾齐驱。Jeong Eun seung指出,三星的晶圆代工事业2017年才开始,不过我们将凭借在存储芯片领域的技术根基,超越台积电。他举例三星曾在台积电之前,就开发了一款搭载FinFET技术的14MHz产品。


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