瑞萨收购Transphorm，利用GaN技术扩展电源产品阵容

全球半导体解决方案供应商瑞萨电子（以下“瑞萨”，TSE：6723）与全球氮化镓（GaN）功率半导体供应商Transphorm, Inc.（以下“Transphorm”，Nasdaq：TGAN）于今天宣布双方已达成最终协议，根据该协议，瑞萨子公司将以每股5.10美元现金收购Transphorm所有已发行普通股，较Transphorm在2024年1月10日的收盘价溢价约35%，较过去十二个月的成交量加权平均价格溢价约56%，较过去六个月的成交量加权平均价格溢价约78%。此次交易对Transphorm的估值约为3.39亿美元。此次收购将为瑞萨提供GaN（功率半导体的下一代关键材料）的内部技术，从而扩展其在电动汽车、计算（数据中心、人工智能、基础设施）、可再生能源、工业电源以及快速充电器/适配器等快速增长市场的业务范围。

作为碳中和的基石，对高效电力系统的需求正在不断增加。为了应对这一趋势，相关产业正在向以碳化硅（SiC）和GaN为代表的宽禁带（WBG）材料过渡。这些先进材料比传统硅基器件具备更广泛的电压和开关频率范围。在此势头下，瑞萨已宣布建立一条内部SiC生产线，并签署了为期10年的SiC晶圆供应协议。

瑞萨现目标是利用Transphorm在GaN方面的专业知识进一步扩展其WBG产品阵容。GaN是一种新兴材料，可实现更高的开关频率、更低的功率损耗和更小的外形尺寸。这些优势使客户的系统具有更高效、更小、更轻的结构以及更低的总体成本。也因此，根据行业研究，GaN的需求预计每年将增长50%以上。瑞萨将采用Transphorm的汽车级GaN技术来开发新的增强型电源解决方案，例如用于电动汽车的X-in-1动力总成解决方案，以及面向计算、能源、工业和消费应用的解决方案。

瑞萨首席执行官柴田英利表示：“Transphorm是一家由来自加州大学圣塔芭芭拉分校、并扎根于GaN功率、经验丰富的团队所领导的公司。Transphorm GaN技术的加入增强了我们在IGBT和SiC领域的发展势头。它将推动和扩大我们的关键增长支柱之一的功率产品阵容，使我们的客户能够选择最佳的电源解决方案。”

Transphorm联合创始人、总裁兼首席执行官Primit Parikh博士以及Transphorm联合创始人兼首席技术官Umesh Mishra博士表示：“结合瑞萨全球布局、广泛的解决方案和客户关系，我们很高兴能为WBG材料的行业广泛采用铺平道路，为其显着增长奠定基础。这项交易还将使我们能够为客户提供进一步扩展服务，并为我们的股东带来可观的即时现金价值。此外，它将为我们杰出的团队提供一个强大的平台，以进一步发展Transphorm卓越的GaN技术和产品。”

交易明细

Transphorm董事会已一致批准最终协议，并建议Transphorm股东通过该最终交易并批准合并。在签署最终协议的同时，持有Transphorm约38.6%已发行普通股的KKR Phorm Investors L.P.已与瑞萨签订惯例投票协议以支持本次交易。

该交易预计将于2024年下半年完成，但需获得Transphorm股东的批准、监管部门的许可和其他惯例成交条件的满足。

###

（备注）本新闻稿中提及的所有产品或服务名称均为其各自所有者的商标或注册商标。

关于瑞萨电子

瑞萨电子（TSE: 6723），科技让生活更轻松，致力于打造更安全、更智能、可持续发展的未来。作为全球微控制器供应商，瑞萨电子融合了在嵌入式处理、模拟、电源及连接方面的专业知识，提供完整的半导体解决方案。成功产品组合加速汽车、工业、基础设施及物联网应用上市，赋能数十亿联网智能设备改善人们的工作和生活方式。更多信息，敬请访问renesas.com。关注瑞萨电子微信公众号，发现更多精彩内容。

关于Transphorm, Inc.

Transphorm, Inc.是GaN革新的全球引领者，为高压功率转换应用设计和制造高性能和高可靠性的 GaN半导体。Transphorm拥有超过1,000项自有或许可专利的功率GaN IP产品组合，生产业界首款符合JEDEC和AEC-Q101标准的高压GaN半导体器件。Transphorm的垂直整合设备业务模式允许在每个开发阶段进行创新：设计、制造、设备和应用支持。Transphorm的创新使电力电子技术突破了硅的限制，实现了超过99%的效率、提高了50%的功率密度并降低了20%的系统成本。Transphorm 总部位于加利福尼亚州戈利塔，并在日本会津和戈利塔设有制造工厂。更多信息，敬请访问www.transphormusa.com。并可关注微信@Transphorm GaN。

更多深度半导体行业观察和报告，请关注芯八哥微信号：Chip-Insights。