EliteSiC栅极驱动器匹配全指南：关键设计要点解析
本指南旨在针对各类高功率主流应用，提供为 SiC MOSFET匹配栅极驱动器的专业指导，同时探索减少导通损耗与功率损耗的有效方法，以最大限度提升SiC器件在导通和关断过程中的电压与电流效率。
电源应用和拓扑
这些主流应用的功率范围从 ~10kW 到 ~5MW 不等。 它们高度依赖电源开关和栅极驱动器来实现高效可靠的运行。
光伏
电动汽车 (EV) 充电
HEV/EV 主驱逆变器
电机驱动
HEV/EV DC -DC
车载充电器
这里是一些常见的应用和框图元素。 它们都使用半桥将交流电输送到电网。
要点总结：选择正确的栅极驱动器对于从所选开关获得良好性能至关重要。匹配合适的栅极驱动器有助于确保：
开关高效
导通损耗和开关损耗低
通过保护功能确保安全
最小化 EMI
兼容汽车和工业标准
电源开关技术对比应用
下图显示了各种高功率主流应用优先考虑使用的开关。红色箭头显示， 许多功率超过 ~10kW 的应用正在从 IGBT 转向更快的碳化硅 (SiC) 开关。 更快速的开关可带来更高的功率密度。
常见应用：
功率因数校正 (PFC)
同步整流控制 (SRC)
车载充电器 (OBC)
开关模式电源 (SMPS)
要点总结：碳化硅 (SiC) 和 GaN 技术是大多数主流高功率应用的优选开关解决方案。
效率：能效提升，毫厘必争
对于传统的小功率产品 (~100 W)， 95% 的效率是可以接受的。对于使用数百千瓦或兆瓦的高功率应用而言 ， 管理功耗是一项更为复杂的设计工作， 因为效率的每千分之一都很重要。
下图显示， 总功率损耗是导通损耗与开关损耗之和。导通损耗取决于欧姆定律或 I2R， 其中 R = MOSFET 完全导通时的漏极-源极电阻(RDSON) ， I = 流过 MOSFET 的漏极电流。
开关损耗更为复杂， 包括:
栅极电荷 (QG) 、 总栅极电荷 (QG(TOT))
反向恢复电荷 (QRR)
输入电容 (CISS)
栅极电阻 (RG)
EON和 EOFF
要点总结：栅极驱动器的电压摆幅和偏置将直接影响系统效率 。 在高功率应用中 ， 效率以千分之一来衡量 ， 因此控制导通损耗和开关损耗非常重要。
开关类型：栅极驱动器的选择
很多高功率主流应用都需要 MCU 来控制开关的导通和关断。 由于工艺节点较小， 当代 MCU 的 I/O 总线限制为 1.8V 或 3.3V。 它们需要栅极驱动器来提供足够的电压， 从而实现开关的导通和关断。
每种开关类型对栅极驱动电压有不同的要求：
硅开关通常需要 0 到 10 V 的 10 V 摆幅。
IGBT 开关通常需要 0V 到 15 V 的 15 V 摆幅
SiC 开关通常需要 -3V 到 18 V 的 21 V 摆幅。
这是一阶近似。 请务必检查开关数据表 ， 了解开关导通和关断的确切电压要求 。
要点总结：MCU 需要栅极驱动器来提供足够的电压， 从而实现开关的导通和关断。 不同类型的开关有不同的电压要求。
驱动 EliteSiC
Elite SiC 栅极驱动摆幅效率：
15 V 摆幅 (0V/15 V)，这是硅开关的典型值， 可提供令人满意的效率。
18 V 摆幅（ 0V/18 V），这是IGBT开关的典型值，效率更高。与15V摆幅相比，导通损耗降低25%，EON损耗降低25%，EOFF损耗降低3% 。
21 V 摆幅 (~ 3V/18 V),这是SiC开关的典型值，效率最高。与18V摆幅相比，EON损耗降低3% ，EOFF损耗降低25%。
要点总结：EliteSiC 开关可与使用不同电压摆幅的栅极驱动器配合， 实现高效运行。
负偏压和 E OFF 开关损耗
本部分详细介绍了使用安森美 (onsemi)EliteSiC Gen 2 1200 V M3S 系列 22mΩ SiC MOSFET 时， 关断期间的效率改进情况。
下图展示了关断期间的负电压偏置如何提高效率。 负栅极偏置电压位于 x 轴， 开关损耗（ 单位： 微焦耳） 位于 y 轴。 通过关断至 -3V 而不是 0V， 可以节省大约100μJ的 EOFF损耗。
负电压偏置可防止开关在关断时意外导通 。 关断期间较高的栅极驱动电流可能与MOSFET 电容、 封装和 PCB 走线电感相互作用， 导致关断期间出现过多的振铃现象。 这可能会意外触发栅极 -源极电压 (VGS) 阈值， 从而导致在关断期间 SiC MOSFET 短暂导通。 如果发生振铃， 则关断至 -3V 可提供额外的 3V 裕量， 以避免触发 VGS阈值。
要点总结：负电压偏置通过防止开关在关断期间导通来提高效率。
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