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Vishay推出业界首款采用20V P沟道MOSFET
2012年11月28日，VishayIntertechnology,Inc.宣布，推出业界首款采用3.3mmx3.3mm封装以实现在4.5V栅极驱动下4.8m?最大导通电阻的20VP沟道MOSFET---Si7655DN。Si7655DN还是首
2012-11-29 09:09
2012年11月28日，VishayIntertechnology,Inc.宣布，推出业界首款采用3.3mmx3.3mm封装以实现在4.5V栅极驱动下4.8m?最大导通电阻的20VP沟道MOSFET---Si7655DN。Si7655DN还是首
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