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英飞凌推出1200 V碳化硅MOSFET技术，助力电源转换设计
英飞凌科技股份公司推出革命性的碳化硅(SiC)MOSFET技术，使产品设计可以在功率密度和性能上达到前所未有的水平。英飞凌的CoolSiC?MOSFET具备更大灵活性，可提高效率和频率。它们将有助于电源转换方案的开发人员节省空间、减轻重量、降低
英飞凌科技股份公司推出革命性的碳化硅(SiC)MOSFET技术，使产品设计可以在功率密度和性能上达到前所未有的水平。英飞凌的CoolSiC?MOSFET具备更大灵活性，可提高效率和频率。它们将有助于电源转换方案的开发人员节省空间、减轻重量、降低
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