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  • 重磅!发现英飞凌大量IGBT缺陷产品,扰乱现代汽车供应链

    导语:IGBT是电源转换的核心器件,由双极型三极管和MOSFET组成,适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统。目前,全球IGBT市场格局主要由英飞凌、安森美、意法半导体、富士电机、三菱电机等海外功率半导体厂商主导,尤其在中高端市场。不过,

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    2022-08-04 16:02
  • 消息称英飞凌全面撤离和清算在俄实体业务

    在俄乌冲突爆发一百天后,英飞凌表示已在3月份做出了清算其在俄罗斯实体公司的决策,该决策目前正在执行中。英飞凌在乌克兰最西部的利沃夫有一个约200人的研发中心,主要从事软件开发。英飞凌在冲突爆发后立即改变了对俄罗斯的商业政策。早在今年2月份,所有

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    2022-06-16 11:08
  • 英飞凌订单积压已达370亿欧元

    据《日经亚洲评论》报道,全球知名汽车芯片厂商英飞凌首席营销官HelmutGassel在接受媒体采访时表示,包括尚未确认的订单在内,2022年1-3月英飞凌积压的订单金额已经从去年四季度的310亿欧元增长了19.4%,达到370亿欧元。对此,He

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    2022-05-18 10:39
  • 英飞凌推出1200 V CoolSiC MOSFET M1H芯片,以增强特性进一步提高系统能效

    5月10日,英飞凌科技股份公司发布了一项全新的CoolSiCTM技术,即CoolSiCTMMOSFET1200VM1H。这款先进的碳化硅(SiC)芯片用于颇受欢迎的Easy模块系列,以及采用基于.XT互连技术的分立式封装,具有非常广泛的产品组合

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    2022-05-10 14:13
  • 英飞凌宣布扩建印尼后道工厂

    4月14日讯,英飞凌科技股份公司宣布扩建其在印尼现有的后道工厂——PTInfineonTechnologiesBatam将收购Unisem集团旗下成员PTUnisem的物业。所购物业邻近英飞凌现有的后道工厂,其中包含全面投运后将使英飞凌在巴淡岛

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    2022-04-14 13:38
  • 英飞凌推出全新车规级750 V EDT2 IGBT,适用于分立式牵引逆变器

    3月21日,英飞凌科技股份公司宣布推出采用TO247PLUS封装的全新EDT2IGBT。该器件专门针对分立式汽车牵引逆变器进行了优化,进一步丰富了英飞凌车规级分立式高压器件的产品阵容。得益于其出色的品质,EDT2IGBT符合并超越了车规级半导体

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    2022-03-21 13:40
  • 英飞凌推出采用PQFN 2x2封装的OptiMOSTM 5 25 V 和 30 V功率MOSFET,树立技术新标准

    3月14日,英飞凌科技股份公司(FSE:IFX/OTCQX:IFNNY)近日推出了全新的采用PQFN2x2mm2封装的OptiMOSTM525V和30V功率MOSFET产品系列,旨在为分立功率MOSFET技术树立全新的行业标准。这些新器件采用薄

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    2022-03-15 14:51
  • 英飞凌宣布任命RutgerWijburg为公司新任首席运营官

    英飞凌科技股份公司(FSE:IFX/OTCQX:IFNNY)在年度股东大会上宣布了监事会的决定,任命RutgerWijburg担任公司新任首席运营官。该任命将于2022年4月1日起正式生效。按照计划,RutgerWijburg将加入英飞凌管理委

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    2022-02-22 11:03
  • 英飞凌将投资逾20亿欧元在马来西亚居林前道工厂扩大宽禁带半导体的产能,进一步增强市场领导地位

    英飞凌科技股份公司(FSE:IFX/OTCQX:IFNNY)将显著扩大宽禁带(碳化硅和氮化镓)半导体的产能,进一步巩固和增强其在功率半导体市场的领导地位。公司将斥资逾20亿欧元,在马来西亚居林工厂建造第三个厂区。建成之后,新厂区将用于生产碳化硅

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    2022-02-22 09:56

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