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2024年6月20日，日本东京讯―全球半导体解决方案供应商瑞萨电子（以下“瑞萨”，TSE：6723）今日宣布，已于2024年6月20日完成对氮化镓（GaN）功率半导体全球供应商Transphorm,Inc.（以下“Transphorm”，Nas2024-06-21 09:50
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美国加利福尼亚州戈莱塔，中国台湾新竹—2024年4月25日—全球领先的氮化镓（GaN）功率半导体供应商Transphorm,Inc.（纳斯达克：TGAN）与适配器USBPD控制器集成电路的全球领导者WeltrendSemiconductorIn2024-05-07 10:08
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随着半导体器件对性能、效率、小型化要求的不断提高，明星产品GaN在电力电子领域中扮演的角色也越来越重要。最近，芯八哥“走进产业链”栏目记者采访了国内氮化镓IDM的新锐企业致能科技的市场总监高飞，探讨在以氮化镓等为代表的第三代半导体蓬勃发展的背景
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氮化镓(GaN)具有耐高温、导热强、稳定性强等特性，已成为当前众多领域炙手可热的明星材料。氮化镓迎来快速发展，但渗透率的提高仍需解决效率及成本问题按照应用市场的不同，氮化镓器件又可以以分为光电氮化镓器件、射频氮化镓器件和功率氮化镓器件三大类。其
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氮化镓(GaN)具有耐高温、导热强、稳定性强等特性，已成为当前众多领域炙手可热的明星材料。氮化镓迎来快速发展，但渗透率的提高仍需解决效率及成本问题按照应用市场的不同，氮化镓器件又可以以分为光电氮化镓器件、射频氮化镓器件和功率氮化镓器件三大类。其
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第三代半导体来到十字路口的当下，车用芯片龙头厂商英飞凌踩了一脚油门。当特斯拉在投资日宣布下一代驱动单元将减少75%碳化硅（SiC）的消息后，天岳先进、东尼电子、晶盛机电、乾照光电等多只概念股应声“跳水”。不过，当特斯拉“动动嘴皮子”带崩板块，汽
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未来已来，氮化镓的社会经济价值加速到来。本文介绍了镓未来和纳芯微在氮化镓方面的技术合作方案。镓未来提供的紧凑级联型氮化镓器件与纳芯微隔离驱动器配合，隔离驱动器保证了异常工作情况下对氮化镓器件的有效保护，完美展现了氮化镓在先进应用中高效率低损耗的
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近日，有投资者在投资者互动平台提问：贵公司拥有第三代半导体技术吗？谢谢。长电科技5月31日在投资者互动平台表示，公司同时具备碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)芯片封装和测试能力，目前已在光伏和车用充电桩出货第三代半导体封测产品。长电科技此前透露
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埃赋隆半导体（Ampleon）今天宣布推出两款新型宽带碳化硅基氮化镓（GaN-on-SiC）高电子迁移率晶体管（HEMT），功率等级分别为30W的CLF3H0060(S)-30和100W的CLF3H0035(S)-100。这两款高线性度器件是我
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氮化镓(GaN)功率芯片的行业领导者NavitasSemiconductor（纳斯达克代码：NVTS）宣布开设新的电动汽车(EV)设计中心，进一步扩展到更高功率的氮化镓市场。与传统的硅解决方案相比，基于氮化镓的车载充电器(OBC)的充电速度估计
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服务多重电子应用领域的全球半导体领导者意法半导体(STMicroelectronics，简称ST；纽约证券交易所代码:STM)推出了一个新系列——氮化镓(GaN)功率半导体。该系列产品属于意法半导体的STPOWER产品组合，能够显著降低各种电子