长电科技:同时具备碳化硅和氮化镓芯片封测能力
近日,有投资者在投资者互动平台提问:贵公司拥有第三代半导体技术吗?谢谢。
长电科技5月31日在投资者互动平台表示,公司同时具备碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)芯片封装和测试能力,目前已在光伏和车用充电桩出货第三代半导体封测产品。

长电科技此前透露,公司目前大部分的收入来自于先进封装,公司未单独披露各类型封装的毛利率情况,公司2021年综合毛利率在18.41%,同比大幅增长,2022年第一季度综合毛利率相比去年全年进一步提升到18.91%。
- •碳化硅赋能浪潮教程:利用SiC CJFET替代超结MOSFET2026-06-16
- •Wolfspeed 发布新一代技术,推出业界最低导通电阻的碳化硅 MOSFET2026-06-10
- •碳化硅赋能浪潮教程:SiC Cascode JFET与SiC Combo JFET深度解析2026-06-10
- •碳化硅赋能浪潮教程:替代Si和SiC MOSFET的方案2026-06-03
- •长电科技汽车电子(上海)有限公司正式启用 打造面向车规级与机器人芯片封测新标杆2026-03-11
- •基本半导体IPO背后,千亿碳化硅市场机会分析2025-06-04
- •安森美推出基于碳化硅的智能功率模块以降低能耗和整体系统成本2025-03-19
- •为什么碳化硅Cascode JFET 可以轻松实现硅到碳化硅的过渡?2025-03-11
- •第 4 代碳化硅技术:重新定义高功率应用的性能和耐久性2025-02-19
- •安森美将收购碳化硅 JFET 技术,以增强其针对人工智能数据中心的电源产品组合2024-12-10






