碳化硅赋能浪潮教程：SiC Cascode JFET与SiC Combo JFET深度解析

摘要：碳化硅（SiC）凭借其优异的材料特性，在服务器、工业电源等关键领域掀起技术变革浪潮。本教程聚焦SiC 尤其是SiC JFET系列器件，从碳化硅如何重构电源设计逻辑出发，剖析其在工业与服务器电源场景的应用价值。我们已经介绍了《碳化硅如何革新电源设计、工业与服务器电源》《三种替代Si和SiC MOSFET的方案》。本文为第三篇，将介绍SiC Cascode JFET的动态特性、SiC Combo JFET的应用灵活性。

（一） SiC CJFET：性价比优势

对于当前市场上任意给定的半导体封装，CJFET始终能提供最低的导通电阻R_DS（on）。您无需并联多个器件来提升性能，从而节省宝贵的PCB空间。

安森美（onsemi）采用TOLL封装的750VUJ4SC075005L8S CJFET在25℃时的R_DS（on）仅为5.4mΩ。相比之下，竞品器件即使额定电压仅达600V或650V，其R_DS（on）仍可能高达该值的十倍之多。

正得益于这一显著的导通电阻优势，安森美的EliteSiC CJFET如今在成本与性能两方面，均能有力地与硅基超结MOSFET（Superjunction MOSFET）展开有力竞争。

（二） SiC Cascode JFET的动态特性

SiC CJFET的工作机制如下：在器件导通阶段，向低压硅MOSFET（LVMOS）的栅极施加12V至15V的正向驱动电压，使其沟道导通。在此期间，阻抗很低，其漏源电压V_DS迅速降至0V。而恰好0V即为SiC JFET的导通电压，因此器件也随之导通。

在关断阶段，将LVMOS电压置为0V。漏极偏置电压会通过SiC JFET传递，导致LVMOS的漏源电压V_DS升高。这种电压反转会充当JFET的栅极驱动信号，当LVMOS的V_DS超过SiC JFET的阈值电压时，JFET的导电沟道被夹断（pinch-off），从而阻断系统中剩余的全部高压。

（三） 相比SiC MOSFET，具备极低的关断开关损耗

除了导通电阻和导通损耗的优势外，安森美SiC CJFET器件在开关模式应用中，相较于SiC MOSFET，关断能量损耗（E_off）和导通能量损耗（E_on）也具有显著优势。

下方图表展示了某竞品厂商的SiC MOSFET、安森美的NTBG023N065M3S SiC MOSFET，以及安森美的UJ4SC075018B7S SiC CJFET的实测开关损耗数据。为确保测试公平性，在40A关断电流条件下，各被测器件的续流二极管电压过冲保持一致。

在0A至80A范围内，配合使用330pF的缓冲电路，CJFET在关断开关损耗方面具有显著优势。在40A电流下，其关断损耗几乎比竞品低5倍。

这种优异的关断损耗性能在导通损耗方面略有代价——CJFET的导通损耗确实高于竞品器件，这是由于CJFET内部增加了额外的电容所致。在硬开关导通条件下，会产生更高的导通损耗。但在LLC等典型应用场景中，不存在导通开关损耗，因此CJFET凭借其极低的导通电阻R_Ds（on）和关断损耗E_off，成为理想选择。

（四） 相比SiC MOSFET，具备极低的整流损耗

续流二极管（亦称飞轮二极管）能在开关关断、电流中断时实现反向电流通过，从而抑制感性负载两端的高压尖峰。然而，该二极管通常也是反向恢复损耗的另一个主要来源。当电路利用器件的体二极管进行续流导通时，体二极管的导通压降（on-state drop）会导致显著的导通损耗。这通常是采用同步导通方式的原因——通过将JFET沟道导通来减少损耗。

在与两款不同的SiC MOSFET进行相同条件的对比测试中，安森美的CJFET展现出最低的整流关断损耗（E_rec）。事实上，在使用缓冲电路的情况下，CJFET的整流损耗随着电流升高反而呈现下降趋势。

当综合考量导通损耗E_on，关断损耗E_off，与整流损耗E_rec这三项关键指标时，即便CJFET的导通损耗较高，其总体开关损耗仍可降低多达三分之一。

（五） CJFET如何利用JFET的超低导通电阻

如前所述，安森美第四代SiC JFET的总导通电阻仅为SiC MOSFET的一半。通过对比SiC MOSFET（左图）与SiC CJFET（右图）的平面结构图，这一战略优势带来的收益显而易见。MOSFET存在固有沟道电阻R_channel，该电阻对器件整体导通电阻的贡献高达60%。而在共源共栅（cascode）结构的JFET器件中则不存在这种沟道电阻（R_channel）。取而代之的是一个低压MOSFET，其导通电阻R_DS(A)本身就非常低，仅占整体R_DS（on）的约10%。通过将反向漂移从SiC MOSFET的体二极管中移除，CJFET在导通电阻形成的空间和时间维度上都得以缩减。

（六） 更低的体二极管正向压降（V_F）

EliteSiC CJFET的设计可在第三象限反向恢复阶段实现自动同步整流（SR）。在此阶段，即使未对低压MOSFET施加正向偏置，其体二极管仍可在约+0.7V的电压下导通。由于JFET本身是常开型器件，该低压即可有效将其开启。因此无论是否选择采用同步开关控制，JFET沟道始终能在第三象限导通期间提供同步整流功能。

（七） 降低导通损耗

在第三象限导通期间，SiC MOSFET的体二极管压降明显高于CJFET。如以下两幅图所示，这是对两款典型安森美器件——1200V/80mΩ SiC MOSFET与同规格（1200V、80mΩ）SiC CJFET——在25℃条件下进行的对比测试结果。

当栅极偏置电压为0V时，SiC MOSFET的漏源电压V_DS高达4.8V（见蓝色圆圈处）。相比之下，由于CJFET在第三象限自动导通，在相同0V栅压和30A反向电流条件下，其V_DS压降仅为约2.45V（见蓝色圆圈处）。因此，在死区时间（dead-time）内，CJFET的导通损耗显著更低。

（八） 极低的栅极电荷，实现更灵活的栅极驱动

共源共栅（cascode）结构通过与硅MOSFET栅极相连，显著提升了栅极驱动的灵活性。该结构可耐受极宽的电压范围，并内置了静电保护（ESD）功能。

假设无需将栅极驱动电压（V_GS）提升至15V：如左上图所示，仅9V的V_GS即可近乎完全导通SiC CJFET。因此，若仅采用10V而非15V的V_GS进行驱动（如右上图所示），器件的栅极电荷（Q_G）将降低12nC——降幅达30%，且不会对R_DS（on）造成任何负面影响。这对于电源在轻载条件下降低高频LLC拓扑的栅极驱动损耗尤为重要。

（九） SiC Combo JFET的应用灵活性

SiC Combo JFET是一种由低压硅MOSFET与高压常开型SiC JFET组成的复合器件。与cascode器件结构不同，在该组合结构中，SiC JFET的源极连接至低压Si MOSFET的漏极，从而使JFET和MOSFET的栅极均可独立接入以方便控制。

使用Combo JFET最简便的方法，是通过单个电阻RG将JFET栅极与MOSFET源极连接。通过调节该电阻值，即可有效调控器件的开关速度。右图展示了四个并联运行的Combo JFET输出特性曲线，每个器件导通电流为100A。值得注意的是，波形中未出现振荡现象，且开关速度与电流均流性能均得到了良好控制。

（十） 将Si MOSFET堆叠在SiC JFET之上

安森美EliteSiC Combo JFET将常开型SiC JFET与常闭型的Si MOSFET串联连接。但与传统做法不同的是，该器件并未在封装内部将栅极连接到源极，而是将JFET的栅极和MOSFET的栅极分别引出至封装外部，从而可根据具体应用需求灵活地在外部连接。

下方的剖面图展示了蓝色的SiC JFET芯片，它通过银烧结工艺键合至封装铜基底上。黄色的Si MOSFET芯片则通过银烧结工艺堆叠在JFET芯片的顶部。两个芯片各自的栅极分别通过独立的引脚引出封装。

未完待续，还有更多干货知识等您解锁：利用SiC CJFET代替超级结JFET、开关电源应用。

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