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比利时微电子研究中心开发出 3D 相容的锗 nMOS 匣极堆叠
球领先的奈米电子及数位技术研发与创新中心比利时微电子研究中心，在本週的IEEEIEDM研讨会上首度展示钝化硅锗nMOS匣极堆叠，介面缺陷密度(DIT)大幅降低至与硅匣极堆叠相同的等级，并且具有极高的电子迁移率与较低的正向偏压温度不稳定性(PBT
球领先的奈米电子及数位技术研发与创新中心比利时微电子研究中心，在本週的IEEEIEDM研讨会上首度展示钝化硅锗nMOS匣极堆叠，介面缺陷密度(DIT)大幅降低至与硅匣极堆叠相同的等级，并且具有极高的电子迁移率与较低的正向偏压温度不稳定性(PBT
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