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ReRAM即将跨入3D时代
莫斯科物理技术学院(MIPT)宣称成功为ReRAM开发出新的制程，可望为其实现适于3D堆叠的薄膜技术…可变电阻式随机存取记忆体(ReRAM)是一种可望取代其他各种储存类型的「通用」记忆体，不仅提供了随机存取记忆体(RAM)的速度，又兼具快闪记忆
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DRAM将跨入3D时代
就算3DNAND的每位元成本与平面NAND相比较还不够低，NAND快闪存储已经成功地由平面转为3D，而DRAM还是维持2D架构;在此同时，DRAM制程的微缩也变得越来越困难，主要是因为储存电容的深宽比(aspectratio)随着元件制程微缩而