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  • 富士通电子将自9月推出业内最高密度8Mbit ReRAM产品

    富士通电子元器件(上海)有限公司今日宣布,推出业内最高密度8MbitReRAM(注1)---“MB85AS8MT”,此款ReRAM量产产品由富士通与松下电器半导体(PanasonicSemiconductorSolutionsCo.Ltd.)(

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    2019-08-08 11:07
  • ReRAM是中国存储器产业的机遇?

    今年年初,专注于ReRAM技术的Crossbar公司宣布与中芯国际合作开发的40nm工艺的ReRAM(非易失性阻变式存储器)芯片正式出样。目前,在ROM存储领域,NAND闪存无疑是绝对的主流。保守点说,3、5年内它都会是电子设备存储芯片的主流选

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    2017-10-26 09:08
  • ReRAM突然就火了,准备好了吗?

    电阻式随机存取存储器(ReRAM)是一种正处于开发阶段的下一代内存技术。在经历了多年的挫折之后,这项技术终于开始受到欢迎了。富士通和松下正在联合加大投入开发第二代ReRAM器件。此外,Crossbar正在实验性地生产一种40nmReRAM技术,

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    2017-09-25 10:03
  • ReRAM即将跨入3D时代

    莫斯科物理技术学院(MIPT)宣称成功为ReRAM开发出新的制程,可望为其实现适于3D堆叠的薄膜技术…可变电阻式随机存取记忆体(ReRAM)是一种可望取代其他各种储存类型的「通用」记忆体,不仅提供了随机存取记忆体(RAM)的速度,又兼具快闪记忆

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    2017-07-04 09:19
  • 中芯国际出样40nm ReRAM存储芯片 是NAND寿命的一千倍

    国内媒体消息,中芯国际日前正式出样40nm工艺的ReRAM(非易失性阻变式存储器)芯片,更先进的28nm工艺版很快也会到来,这种新型存储芯片比NAND闪存快一千倍,耐用一千倍。据了解在储存芯片领域,2018年将推出国产3DNAND闪存,意图实现

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    2017-01-16 09:41
  • 富士通与松下联合研发业界最高密度4Mbit ReRAM产品

    香港商富士通亚太电子有限公司中国台湾分公司8日宣布推出业界最高密度4MbitReRAM(可变电阻式存储器)产品MB85AS4MT。此产品为富士通半导体与松下电器半导体合作开发的首款ReRAM产品。MB85AS4MT为SPI介面的ReRAM产品,

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    2016-11-09 09:33
  • DRAM发展到头 次世代记忆体换MRAM和PRAM当家?

    DRAM发展快到尽头,磁性记忆体(MRAM)和相变记忆体(PRAM)是最有潜力的接班人?IBM和三星电子最近宣称,“自旋传输磁性记忆体(STT-MRAM)”的研究出现突破,有望加速走上商用之途。韩媒BusinessKorea11日报道,IBM和

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    2016-07-12 11:31

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