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富士通电子元器件(上海)有限公司今日宣布，推出业内最高密度8MbitReRAM(注1)---“MB85AS8MT”，此款ReRAM量产产品由富士通与松下电器半导体(PanasonicSemiconductorSolutionsCo.Ltd.)(
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今年年初，专注于ReRAM技术的Crossbar公司宣布与中芯国际合作开发的40nm工艺的ReRAM(非易失性阻变式存储器)芯片正式出样。目前，在ROM存储领域，NAND闪存无疑是绝对的主流。保守点说，3、5年内它都会是电子设备存储芯片的主流选
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电阻式随机存取存储器(ReRAM)是一种正处于开发阶段的下一代内存技术。在经历了多年的挫折之后，这项技术终于开始受到欢迎了。富士通和松下正在联合加大投入开发第二代ReRAM器件。此外，Crossbar正在实验性地生产一种40nmReRAM技术，
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莫斯科物理技术学院(MIPT)宣称成功为ReRAM开发出新的制程，可望为其实现适于3D堆叠的薄膜技术…可变电阻式随机存取记忆体(ReRAM)是一种可望取代其他各种储存类型的「通用」记忆体，不仅提供了随机存取记忆体(RAM)的速度，又兼具快闪记忆
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国内媒体消息，中芯国际日前正式出样40nm工艺的ReRAM(非易失性阻变式存储器)芯片，更先进的28nm工艺版很快也会到来，这种新型存储芯片比NAND闪存快一千倍，耐用一千倍。据了解在储存芯片领域，2018年将推出国产3DNAND闪存，意图实现
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香港商富士通亚太电子有限公司中国台湾分公司8日宣布推出业界最高密度4MbitReRAM(可变电阻式存储器)产品MB85AS4MT。此产品为富士通半导体与松下电器半导体合作开发的首款ReRAM产品。MB85AS4MT为SPI介面的ReRAM产品，
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DRAM发展快到尽头，磁性记忆体(MRAM)和相变记忆体(PRAM)是最有潜力的接班人?IBM和三星电子最近宣称，“自旋传输磁性记忆体(STT-MRAM)”的研究出现突破，有望加速走上商用之途。韩媒BusinessKorea11日报道，IBM和