中芯国际出样40nm ReRAM存储芯片 是NAND寿命的一千倍

中芯国际出样40nm ReRAM存储芯片 是NAND寿命的一千倍

　　国内媒体消息，中芯国际日前正式出样40nm工艺的ReRAM(非易失性阻变式存储器)芯片，更先进的28nm工艺版很快也会到来，这种新型存储芯片比NAND闪存快一千倍，耐用一千倍。据了解在储存芯片领域，2018年将推出国产3D NAND闪存，意图实现国家要求的芯片自给率要求。

　　SMIC中芯国际已经出样40nm工艺的ReRam存储芯片

　　在存储芯片领域，NAND闪存是目前的绝对主流，保守点说三五年内它都会是电子设备存储芯片的主流选择，但研究人员早就开始探索新一代非易失性存储芯片了，，Intel、美光研发的3D XPoint之前有说是基于PCM相变存储，也是新一代存储芯片范畴了，而今天说的ReRAM(非易失性阻变式存储器)更是代表性的非易失性存储器。

　　虽然它的名字中带RAM，不过ReRAM其实更像NAND闪存那样用作数据存储，只不过它的性能更强，密度比DRAM内存高40倍，读取速度快100倍，写入速度快1000倍，耐久度高1000倍，单芯片(200mm2左右)即可实现TB级存储，还具备结构简单、易于制造等优点。

　　说到ReRAM，不得不提的一家公司就是Crossbar，根据该公司资料，Crossbar技术首先由中国出生的卢伟(Dr. Wei D. Lu)博士研发，他也是Crossbar的首席科学家和联合创始人。卢博士拥有中国清华大学物理学士学位，以及德克萨斯州莱斯大学物理学博士学位。卢博士在ReRAM领域积累了十二年的研究经验，他先作为哈佛大学的博士后研究员，然后被任命为密歇根大学教授从事这项研究。他是纳米结构和设备行业的领先专家，包括基于双端电阻开关设备的高密度内存和逻辑系统、神经元电路、半导体纳米线设备和低维系统中的电子输运。

　　2016年这家公司获得了8000万美元的风投，其中中国公司也参与了，而Crossbar去年3月份也宣布进军中国市场，他们的合作伙伴就是SMIC中芯国际，将基于后者的40nm CMOS试产ReRAM芯片。根据该公司副总裁Sylvain Dubois所说，2016年内中芯国际已经开始给客户出样40nm工艺的ReRAM芯片，实现了该公司之前2016年内推出ReRAM的承诺。

　　不仅如此，更先进的28nm工艺版ReRAM芯片也将在2017年上半年问世，只是Sylvain Dubois拒绝表态是否还是由SMIC生产，还是交给其他代工厂。

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