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SKHynix(SK海力士)宣布研发完成基于1Ynm工艺的8Gb(1GB)容量DDR4DRAM芯片。该芯片最高支持3200Mbps，即3200MHz频率，号称可以提供最佳的性能和容量密度。技术指标方面，相较于1Xnm，1Ynm芯片的生产率提高了
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中国北京，2018年10月31日——全球领先的嵌入式解决方案供应商赛普拉斯半导体公司(CypressSemiconductorCorp.)日前宣布，与海力士半导体公司(SKhynixsystemic,Inc.)成立合资公司。协议约定在前五年中，
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日经新闻27日报导，东芝(Toshiba)将在今日(27日)和被选为优先交涉对象的“日美韩联盟”签订半导体事业子公司“东芝存储器(ToshibaMemoryCorporation，以下简称TMC)”的买卖契约，双方已针对收购金额、条件达成框架协
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DRAM发展快到尽头，磁性记忆体(MRAM)和相变记忆体(PRAM)是最有潜力的接班人?IBM和三星电子最近宣称，“自旋传输磁性记忆体(STT-MRAM)”的研究出现突破，有望加速走上商用之途。韩媒BusinessKorea11日报道，IBM和
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东芝(Toshiba)统筹存储器事业的副社长成毛康雄于6日举行的投资人说明会上表示，将冲刺NANDFlash产量，目标在2018年度将NANDFlash产量扩增至2015年度的3倍水准(以容量换算)。关于已在2016年度开始量产的3D结构NAN
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内存及闪存的降价还没到底，由于厂商产能扩大，竞争加剧，此前分析称内存/闪存价格今年下半年还会继续降，内存甚至可能大降40%。但是消费者满心希望降价，厂商可撑不住了，两大主力厂商三星、SKHynix今年都会大幅削减资本支出，放缓产能提升脚步。据韩