富士通与松下联合研发业界最高密度4Mbit ReRAM产品

　　香港商富士通亚太电子有限公司中国台湾分公司8日宣布推出业界最高密度4 Mbit ReRAM(可变电阻式存储器)产品MB85AS4MT。此产品为富士通半导体与松下电器半导体合作开发的首款ReRAM产品。

　　MB85AS4MT为SPI介面的ReRAM产品，能在1.65至3.6伏特电压下运作，并于最高频率5MHz的读取操作下仅需0.2mA的平均消耗电流。

　　此全新产品适用于需要电池供电的穿戴式及医疗装置，例如助听器等需要高存储器密度且低功耗的电子装置。

　　截至目前为止，富士通借由提供具有耐读写以及低功耗特性的FRAM(铁电随机存取存储器)，以满足客户对远高于EEPROM以及串列式Flash等传统非挥发式存储器的效能需求。

　　在将新款4 Mbit ReRAM MB85AS4MT加入其产品线后，富士通如今可进一步扩充产品选项，以满足客户多样化的需求。

　　MB85AS4MT不仅能在电压1.65至3.6伏特之间的广泛范围内作业，还能透过SPI介面支援最高5MHz的运作频率，并在读取时仅需极低的作业电流(5MHz频率下平均仅消耗0.2mA)。此外，此产品拥有业界非挥发性存储器最低的读取功耗。

　　此全新产品采用209mil 8-pin的SOP(small outline package)，脚位与EEPROM等非挥发性存储器产品相容。富士通在微型8-pin SOP封装中置入一个4 Mbit的存储器，以超越串列介面EEPROM的最高密度。

　　富士通预期MB85AS4MT高密度且低功耗的特性可运用在电池供电的穿戴式装置、助听器等医疗装置，以及量表与感测器等物联网装置。富士通期盼未来持续提供各种产品与解决方案，以协助客户提升其应用的价值与便利性。

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