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半导体存储新进展：日本成功进行SOT-MRAM单元操作实验

据ImpressWatch网站报道，10月9日，日本东北大学国际综合电子技术研发中心主任远藤哲郎和电气通信研究所大野教授宣布开发出可实际运用的SOT，并且成功演示了SOT-MRAM单元的操作。半导体存储器领域中，随着晶体管小型化，待机功率增加，

半导体存储操作实验

2019-12-11 15:19