第三代半导体材料的禁带宽度是第一代和第二代半导体禁带宽度的近3倍,在高温、高压、高功率和高频领域将替代前两代半导体材料。氮化镓GaN已在消费电子率先突破,中高压领域或后来居上:采用GaN-on-Si的功率器件工作电压在1000V以下,成本在1美