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ROHM首款面向高耐压GaN器件驱动的隔离型栅极驱动器IC开始量产
中国上海，2025年5月27日——全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）今日宣布，推出一款适用于600V级高耐压GaNHEMT驱动的隔离型栅极驱动器IC“BM6GD11BFJ-LB”。通过与本产品组合使用，可使GaN器件在高频、高速
中国上海，2025年5月27日——全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）今日宣布，推出一款适用于600V级高耐压GaNHEMT驱动的隔离型栅极驱动器IC“BM6GD11BFJ-LB”。通过与本产品组合使用，可使GaN器件在高频、高速
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