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Vishay新推超小外形尺寸的TrenchFET® Gen III P沟道功率MOSFET
日前，Vishay宣布，扩充其采用超小PowerPAK?SC-70封装的TrenchFET?GenIIIP沟道功率MOSFET。今天推出的VishaySiliconixMOSFET是为在便携式电子产品中节省空间及提高效率而设计的，占位面积只有2
2013-09-06 09:02 -
Vishay推出业界首款采用20V P沟道MOSFET
2012年11月28日，VishayIntertechnology,Inc.宣布，推出业界首款采用3.3mmx3.3mm封装以实现在4.5V栅极驱动下4.8m?最大导通电阻的20VP沟道MOSFET---Si7655DN。Si7655DN还是首
2012-11-29 09:09 -
飞兆半导体推出P沟道PowerTrench® MOSFET器件
飞兆半导体公司(FairchildSemiconductor)现为手机和其它超便携应用的设计人员提供一款P沟道PowerTrench?MOSFET器件，满足其对具有出色散热性能的小尺寸电池或负载开关解决方案的需求。FDMA905P和FDME90
2012-02-27 09:22