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X-FAB引入图像传感器背照技术增强CMOS传感器性能
中国北京，2024年4月9日——全球公认的卓越的模拟/混合信号晶圆代工厂X-FABSiliconFoundries（“X-FAB”）今日宣布，其光学传感器产品平台再添新成员——为满足新一代图像传感器性能的要求，X-FAB现已在其备受欢迎的CMO
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X-FAB领导欧资联盟助力欧洲硅光电子价值链产业化
全球公认的卓越的模拟/混合信号晶圆代工厂X-FABSiliconFoundries（“X-FAB”）今日宣布，正在开展photonixFAB项目---该项目旨在为中小企业和大型实体机构在光电子领域的创新赋能，使其能够轻松获得具有磷化铟（InP）
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X-FAB率先向市场推出110纳米BCD-on-SOI代工解决方案
全球公认的卓越的模拟/混合信号晶圆代工厂X-FABSiliconFoundries（“X-FAB”）今日宣布，X-FAB成为业界首家推出110纳米BCD-on-SOI解决方案的代工厂，由此加强了其在BCD-on-SOI技术领域的突出地位。全新X
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X-FAB宣布采用Cadence EMX Solver电磁仿真技术，加速创新通信和车用射频设计
日前，全球公认的卓越的模拟/混合信号晶圆代工厂X-FABSiliconFoundries（“X-FAB”）今日宣布，与EDA软件领先供应商CadenceDesignSystems,Inc.在电磁（EM）仿真领域携手展开合作。CadenceEMX
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X-FAB基于180nm的工艺技术推出高灵敏度SPAD和APD器件
全球领先的模拟/混合信号代工厂X-FABSiliconFoundries继续开发突破性的工艺方案以解决富有挑战性的设计，现宣布推出雪崩光电二极管(APD)和单光子雪崩二极管(SPAD)器件，用于满足在微弱光源条件下所需的灵敏度，以及严格的时间分
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X-FAB和Efabless宣布成功推出首款开源RISC-V微控制器Raven芯片
全球领先的模拟/混合信号代工厂商X-FABSiliconFoundries和众包(crowd-sourcing)IC平台的合作伙伴EfablessCorporation,今天宣布成功推出EfablessRISC-V的首款系统芯片(SoC)参考设
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X-FAB针对模拟电路设计降低XP018芯片成本
X-FAB针对可携式模拟应用提供180nm优化的工艺。XP018工艺的多样选择以降低芯片的成本。这些选项是成本敏感的消费性应用与需要180nm技术、模拟集成的理想选择。X-FAB针对模拟电路设计降低XP018芯片成本有几个方面：——新推出的单电
2013-06-25 09:37 -
X-FAB首创180奈米200V MOS SOI工艺
X-FABSiliconFoundries日前发表XT018，世界首创180奈米200VMOS的独立沟槽电介质(SOI)的工艺。这种完全隔离型的模块化工艺让不同电压的区块能够整合在单一芯片上，大幅减少了印刷电路板的组件数量，也避免栓锁效应(la
2012-11-12 09:23 -
X-FAB宣布开始提供嵌入式NVRAM制程功能
模拟/混合信号晶圆厂X-FABSiliconFoundries，宣布开始提供嵌入式非挥发随机存取内存(NVRAM)制程功能，实现单一芯片解决方案。该XH018制程的全新NVRAM功能以及支持的NVRAM编译器，结合能够快速存取的SRAM，与EE
2010-03-10 07:00