集邦科技分析师指出，DRAM价格预期将在9月达到下半年高点，但在产能移转至NANDFLASH效应下，第4季价格向下修正幅度应该比预期缩小。根据集邦科技调查数据显示，近期大多数PCOEM厂商的DRAM搭

被動元件保護元件廠商7月衝出亮麗的營收成績，月增率達2-3成。興勤(2428)台灣營收1.51億元，寫下歷史次高紀錄，合併營收2.2億元，創下歷史新高紀錄；聚鼎(6224)7月營收7900萬元，歷史次

DXI为3,433.10,下跌11.80(0.34%)台湾市场：今日的DRAM现货市场，市场买气呈现停滞，多数买家们仍抱持着观望的态度，整体价格下跌，交易量有限。512Mb(64M*8)667/533

市场回顾三星提高合约价FLASH现货价格再度反弹上周三星为弥补产出损失，大幅调涨其合约价。自从三星事件发生后，所有业者均高度关注三星NANDFlash这次官价情况，尽管三星极力淡化此次停电事件，但业者

市场回顾DDR1表现平稳DDR2先升后跌DDR1方面，上周现货市场供求双方均未出现明显变化，依然维持在原有的水平。Hynix64MX8DDR400颗粒价稳定在$2.20附近，主要原因是目前1代价格受2

8月上旬NANDFlash合約價出爐，如預期呈現全面大漲，根據集邦科技調查，16Gb規格合約價漲幅達19.02%，4Gb規格合約價漲幅更達29.32%。隨著時序逐漸步入產業傳統旺季，市場需求增溫，加上

在三星向外界透露位于韩国的工厂于8月3日因故停产后，各厂商均密切关注该事件对NAND闪存价格造成的影响。业界预测DRAM内存合同价在8月还将上升。业界预测DRAM内存合同价在8月还将上升，同时受三星电

DXI为3,444.90,下跌3.17(0.09%)台湾市场：今日的DRAM现货市场，市场动能持续疲弱，交易量同时也明显缩减许多，整体价格依旧是缓缓下跌。512Mb(64M*8)667/533MHz主

三星电子(SamsungElectronics)上周跳电事件发生后，使得原本要开出的三星全球NANDFlash合约价再度顺延。9日市调机构纷纷对外公告8月全球NANDFlash合约价，主流规格8Gb的

南韩在线财经媒体《Edaily》引述电子大厂SamsungElectronicsCo.(005930-KR；三星电子)匿名高层的谈话指出，上周在多间内存芯片厂短暂停工后，已将8GBNAND闪存(fla

据闪存技术的最大支持者之一称，闪存将“接管”整个世界。本周三，SanDiskCEOEliHarari在“闪存峰会”上说，一方面，NAND闪存正在打跨竞争对手。NAND已经使1英寸硬盘失去了用武之地，现

DXI为3,448.07,下跌2.30(0.07%)台湾市场：今日的DRAM现货市场，市场需求呈现不连续性，使得整体价格仍持续缓缓下跌，交易量亦不理想。512Mb(64M*8)667/533MHz主流

太陽能網站Solarbuzz的八月份太陽能電池模組報價出爐，由於歐、美兩地市場都止跌回升，雖然幅度不大，但因分別寫下今年三月和去年十一月以來首度的正成長，點燃了第三季傳統旺季效應。受此激勵，台股近期股

下半季PC旺季到来后，传统PBGA以及CSP基版已经逐渐供不应求，据了解，消费性与通讯芯片的需求增加，导致PBGA和CSP基版交期拉长至六週。六月以来，上游芯片设计厂和IDM厂为了应付下半季的旺季开始

根据SemiconductorEquipmentandMaterialsInternational(SEMI)发布的报告，虽然内存价位近年急遽下挫，不过芯片制造商还是勇往直前，持续大量投资扩张十二吋晶

半导体工厂继续快速生产芯片，导致第二季度电子供应链中的库存水平上升，预期今年下半年库存情况将有所改善。目前，工厂生产热火朝天，导致产品生产速度超过了销售速度，结果过剩库存不断增多。预计这种生产势头将在

NANDFlash供需出现进一步紧绷的状况。究其原因，除年底旺季需求增加外，最大厂之Samsung工厂3日发生停电事故，导致市场产生供给量减少之预期亦是主因。然而合约价部份，由于厂商仍存在过度上涨，可

DXI为3,450.36,上涨3.75(0.11%)台湾市场：今日的DRAM现货市场，买气转弱，交易量明显减少许多，整体价格也开始缓缓向下修正。512Mb(64M*8)667/533MHz主流品牌颗粒

根據ICInsights發布的報告，該公司警告今(2007)年底直到明年，全球主要半導體代工業者的產能可能會不足。該公司表示全球四大代工業者，包括台積電、聯電、中芯國際與Chartered，今年第一季