短期行情仍存变数 主流8G MLC有望突破$10关口

短期行情仍存变数 主流8G MLC有望突破$10关口

    

    
     三星提高合约价 FLASH现货价格再度反弹
    
     上周三星为弥补产出损失，大幅调涨其合约价。自从三星事件发生后，所有业者均高度关注三星NAND Flash这次官价情况，尽管三星极力淡化此次停电事件，但业者预估三星这次受损情况将非同小可。因此，业者预估三星此次大幅调涨官价主要是来弥补产出损失。三星8日开出最新NAND Flash官价，8Gb容量芯片从约8美元上调至9.5美元，16Gb芯片上调至18.5美元，32Gb芯片更大涨至35美元，这些价格出乎市场预测。
    
     值得注意的是，尽管三星这次大幅调高官价，但海力士(Hynix)并未跟进，东芝方面报价亦相当持平，与各界原预期海力士等厂恐将跟随三星脚步、大幅调高官价大不相同。
    
     三星此次大幅提高合约价后，在原本市场买气欠佳的基础上无意间抑制了市场贸易流通。当前的NAND FLASH市场依然保持淡静之势，特别是在目前需求不景气的环境下，业者更多的是保持场外观望。而与此同时，芯片价格已经拉到了相对成本较高的水位，即使一些有少量需求的工厂也开始观望。深圳贸易商采购更加谨慎，对后期市场走势看不清楚，预测短期行情仍存在变数，只是根据实际需求采购。目前来说，国内市场景气反转的推动力在于市场终端需求。
    
    
    
    
    
     短期行情仍存变数 主流8G MLC有望突破$10关口
    
     有消息来源指出，三星停电事件导致本已出现紧缺的MicroSD卡晶圆供应近日更加恶化，他们无法从芯片厂拿到有效的晶圆供应。近期由于需求上涨和芯片厂商制程更新滞后，晶圆供应一直存在短缺，一些存储卡厂商无法得到晶圆供应，只能让其MicroSD卡生产线停机。
    
     可以说，三星此次停电事件对市场影响较大，对于整个FLASH产业供需而言，冲击力将不小，届时市场供需缺口已经显现。尽管三星调整部分dram产能到NAND FLASH，然而在增加生产NAND FLASH 之前这一时间内，市场不得不面临供应紧张的局面，短缺肯定会继续下去，期间或许会刺激部分投机性贸易活动。但是这些因素仍具有不确定性。因此，依照上述所言，长线来看价格有望继续攀升。当然短期行情仍依赖8月中旬到货情况，倘若到货情况正常将对市场不会造成太大的影响。
    
    
    
     ChinaDram根据各方面数据及信息分析，本周NAND FLASH市场综合评级为“中立”。
    
     鉴于以上对市场的分析，ChinaDram认为本周市场仍存在操作机会，需要密切注意终端需求的情况以及上游供应情况，一旦需求好转，价格仍有机会凭借目前有利时机进行大幅上调。操作上在相对低位可考虑适当补仓，操作重点可作为全线产品，即使价格涨到一定空间内，出现下滑实属正常，操盘心态不用过于悲观。